Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Xây dựng đường cong hiệu suất của hệ phổ kế gamma sử dụng nguồn chuẩn đĩa cho phòng thí nghiệm vật lí hạt nhân của trường Đại học Sư phạm TP.HCM

Không đóng trình duyệt đến khi xuất hiện nút TẢI XUỐNG

Trong bài báo này, các tác giả sử dụng phương pháp của tác giả M.Noguchi để xây dựng đường cong hiệu suất cho detector Ge siêu tinh khiết (HPGe) của phòng thí nghiệm vật lí hạt nhân, Trường Đại học Sư phạm TP HCM đối với nguồn chuẩn dạng đĩa theo năng lượng và theo khoảng cách. | Hoàng Đức Tâm và tgk Tạp chí KHOA HỌC ĐHSP TP HCM _ XÂY DỰNG ĐƯỜNG CONG HIỆU SUẤT CỦA HỆ PHỔ KẾ GAMMA SỬ DỤNG NGUỒN CHUẨN ĐĨA CHO PHÒNG THÍ NGHIỆM VẬT LÍ HẠT NHÂN CỦA TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM TP HCM HOÀNG ĐỨC TÂM *, PHẠM NGUYỄN THÀNH VINH **, TRỊNH HOÀI VINH **, LÊ THỊ MỘNG THUẦN *** TÓM TẮT Trong bài báo này, chúng tôi sử dụng phương pháp của tác giả M.Noguchi để xây dựng đường cong hiệu suất cho detector Ge siêu tinh khiết (HPGe) của phòng thí nghiệm vật lí hạt nhân, Trường Đại học Sư phạm TP HCM đối với nguồn chuẩn dạng đĩa theo năng lượng và theo khoảng cách. Từ kết quả này, chúng tôi tiến hành tính toán hiệu suất đối với mẫu khối dạng hình trụ. Kết quả xác định hoạt độ phóng xạ của đồng vị 40 K trong mẫu chuẩn IAEA – RGK – 1 từ việc tính toán hiệu suất ở trên so sánh với giá trị về hoạt độ đã được chứng nhận của IAEA cho thấy sự khác biệt là nhỏ ( Ec (keV), phương trình có dạng: ln E a b ln E (4) với EC = 210 keV [1]. Do vậy, đầu tiên cần xác định hiệu suất ghi h (E) sau đó làm khớp bộ số liệu đo được với hàm (3) và (4) để xác định hệ số a, b và c. 86 Tạp chí KHOA HỌC ĐHSP TP HCM Hoàng Đức Tâm và tgk _ 2.2. Xác định hiệu suất ghi đỉnh E h của detector đối với nguồn đĩa là hàm theo khoảng cách Trong phần thực nghiệm, chúng tôi tiến hành xác định hiệu suất ghi đỉnh của detector đối với nguồn chuẩn đĩa ở các độ cao (được tính từ nguồn đĩa cho đến bề mặt của detector) khác nhau lần lượt là 0,5 cm, 1 cm, 2 cm, 3 cm, 4 cm, 5 cm. Do đó, từ hàm khớp (3) (hoặc (4)), có thể tính lại được hiệu suất ghi đối với nguồn đĩa tại các độ cao ở trên và ứng một một đỉnh năng lượng E quan tâm bất kì trong khoảng từ 100 keV đến 2 000 keV (dải đo thường được sử dụng để đo các mẫu môi trường). Sử dụng hàm khớp có dạng: E h

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.