Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Xác định độ sâu bẫy bắt điện tử trong vật liệu thủy tinh phốt phát pha tạp tecbi (Tb)

Thủy tinh phốt phát có hợp phần P2O5, CaO, Na2O và Tb2O3 – ký hiệu là PCN:Tb được chế tạo bằng phương pháp dập tắt nóng chảy. Các khảo sát thực nghiệm cho thấy thủy tinh thu được có hiệu ứng nhiệt phát quang khá mạnh khi sử dụng tác nhân kích thích là tia bêta với đường nhiệt phát quang tích phân có hai đỉnh ở khoảng 160 độC và 249 độ C. | XÁC ĐỊNH ĐỘ SÂU BẪY BẮT ĐIỆN TỬ TRONG VẬT LIỆU THỦY TINH PHỐT PHÁT PHA TẠP TECBI (Tb) Nguyễn Duy Linh1 Lê Thị Mến2 Lê Văn Tuất3 Tóm tắt: Thủy tinh phốt phát có hợp phần P2O5, CaO, Na2O và Tb2O3 – ký hiệu là PCN:Tb được chế tạo bằng phương pháp dập tắt nóng chảy. Các khảo sát thực nghiệm cho thấy thủy tinh thu được có hiệu ứng nhiệt phát quang khá mạnh khi sử dụng tác nhân kích thích là tia bêta với đường nhiệt phát quang tích phân có hai đỉnh ở khoảng 160 oC và 249oC. Dùng phương pháp vùng tăng ban đầu đã xác định được bẫy bắt điện tử liên quan đến đỉnh ở 249oC có độ sâu khoảng Et = 1,032eV. Có thể dùng đỉnh nhiệt phát quang này để đo liều bức xạ bêta trong khoảng liều chiếu khá rộng, từ một vài cho tới vài chục Gy. Từ khóa: Thủy tinh, phốt phát, tecbi, PCN:Tb, nhiệt phát quang 1. Mở đầu Quá trình nhiệt phát quang - TL (Thermoluminescence) là dạng phát quang xảy ra khi đốt nóng các chất điện môi hoặc bán dẫn trước đó đã được chiếu xạ bằng bức xạ ion hoá (tia tử ngoại, tia X, tia gama ). Lý thuyết động học của quá trình đã được khảo sát chi tiết dựa trên mô hình một tâm, một bẫy nhờ sự tồn tại của các mức năng lượng định xứ trong vùng cấm trên sơ đồ vùng năng lượng của các chất điện môi hoặc bán dẫn, chúng giữ vai trò bẫy bắt điện tử hoặc tâm tái hợp. Từ đó thiết lập được mối liên hệ giữa hình dạng đường nhiệt phát quang tích phân, nhiệt độ xuất hiện đỉnh, dạng hình học đỉnh nhiệt phát quang, với các thông số độ sâu bẫy Et, tần số thoát s, mật độ điện tử bị bắt ban đầu trước khi đốt nóng và bậc động học của quá trình, v.v Đồng thời, đã xây dựng được các phương pháp phân tích động học để xác định các thông số bẫy bắt điện tử liên quan từ kết quả đo đường nhiệt phát quang tích phân: phương pháp hình dạng đỉnh, vị trí đỉnh, vùng tăng ban đầu, . [1, 2]. Biểu thức xác định cường độ tín hiệu nhiệt phát quang ITL trong quá trình tương ứng với bậc động học tổng quát γ là: I TL (T ) = nγ .s. exp(− Et ) kT trong đó n là số điện tử bị bắt trên bẫy có độ sâu Et tại .