Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Giáo trình CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ - Chương 3

3.4 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CỔNG TIẾP GIÁP – JFET. Transistor hiệu ứng trường cổng tiếp giáp, gọi tắt là JFET [Junction Field-Effect Transistor] là một kiểu khác của transistor hiệu ứng trường có thể được tạo thành mà không cần phải có lớp ô xít cách ly với cực cổng bằng cách sử dụng các tiếp giáp pn. Phần sau của tên gọi cũng như đối với MOSFET cho biết nguyên tắc làm việc của dụng cụ là được điều khiển bằng điện trường. Phần trước của tên gọi chỉ cực cổng của dụng cụ sẽ được tạo thành bởi. | CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 71 3.4 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CỔNG TIẾP GIÁP - JFET. Transistor hiệu ứng trường cổng tiếp giáp gọi tắt là JFET Junction Field-Effect Transistor là arr nuiAtTOKTH Xa -70 V. Iq 5OM 2 0797 20 25 - Oar Rcwnc c 11 Xa -lOV.Xa Xa -lOV.St kss IjO 200 OA Ra í CWf v w K o iã A. 1 v 37 7 VQ - -50 -70 v c DnákGcte Ihvvm Cmvcm 1 X 1- lUV.Ig-Ol U4 IO PA on CHA ACTT. ISTU S Ste ha -Vateafv Cam VM. 0V.V a.0 2 0797 1 20 29 40 mA OteSMr Dmmb Carnal Voa K V. v a 53 V 270797 teMN 90 14 IS mAOc UII.WGSAM harai Nftl Tr 1 í rĩ Admnumr H V.V A .h.1 . Ill Mil -2 097 IW 190 2WW u l pMỀtaM m H v. 1 lom . NIW7 h l Ỉ7 M - VM V V. . II. 1 . 1 MU I . NI7MJ teU HO H- crw C1 W rtJMkc Itiv. xl - M IOMH 1 m 03 no HXTMAtl HA A TllhTlr -X _ Xn H v Xa 411 lx 1 ytei I SI 0 4B U1W 4 fwMI Mlnlr. mr ĩn .w na Hi r ni writ r teM mUt ri íi ri arin tarM M . J Hình 3.18 Cóc sô liệu kỹ thuột của MOSFET kiểu nghèo kênh-n 2N3797 Motorola một kiểu khác của transistor hiệu ứng trường có thể được tạo thành mà không cần phải có lớp ô xít cách ly với cực cổng bằng cách sử dụng các tiếp giáp pn. Phần sau của tên gọi cũng như đối với MOSFET cho biết nguyên tắc làm việc của dụng cụ là được điều khiển bằng điện trường. Phần trước của tên gọi chỉ cực cổng của dụng cụ sẽ được tạo thành bởi tiếp giáp pn với đế. Do vậy JFET cũng còn được gọi là JUGFET. BIÊN SOẠN DQB B M ĐTVT-ĐHKT CHƯƠNG 3 TRANSISTOR HIỆU ỨNG TRƯỜNG CẤU KIỆN ĐIỆN TỬ 72 Cấu tạo cắt ngang và ký hiệu mạch của JFET kênh n được cho ở hình 3.19 bao gồm một kênh hẹp bằng vật lièu ban dần n có nông độ pha tạp thấp hon vùng cổng mà hai đầu được nối với Cdcl-onđono. 9 í o 6 G 0 n-channel JFET Hình 3.19 a Câu tọo co bản cùa JFET kênh n b Ký hiộu mqch hai điện cực bằng kim loại gọi là cực nguồn S và máng D như ở MOSFET. Trong phạm vi vùng kênh dẫn là hai vùng vật liệu bán dẫn p sẽ tạo thành cực cổng G của JFET. Không giống như MOSFET ở đây không có sự cách ly để tách rời vùng cổng với kênh dẫn mà thay vào đó là cổng được kết nối điện với kênh dẫn thông