Những năm gần đây do sự phát triể của công nghệ điện tử, đã xuất hiện nhiều loại van bán dẫn công suất mới có những ưu điểm hơn van cũ | MÔ PHỎNG HỆ THỐNG TRUyỂN ĐỘNG ĐIÊN NẠP TỪ BỘ BIẾN TAN PWM PGSTSKH THÂN NGỌC HOÃN ĐẠI HỌC HÃNG HẢI 1. Mở đầu Những năm gần đây do sự phát triển của công nghệ điện tử đã xuất hiện nhiều loại van bán dẫn công suất mới có những ưu điểm hơn các van cũ. Một trong loại van mới đó là IGBT. Sự ra đời của loại van này giúp cho ta chế tạo các bộ biến tần loại PWM một cách dễ dàng chính vì thế các hệ thống truyền động điện nạp từ bộ biến tần PWM đang được nghiên cứu rộng rãi. Dưới đây trình bày phương pháp nghiên cứu mô phỏng hệ thống truyền động điện động cơ dị bộ rô to lồng sóc nạp từ bộ biến tần PWM giúp cho ta nghiên cứu hệ thống ở chế độ quá độ. 2. Mô phỏng bộ biến tần PWM phỏng transistor Trên hình 1 biểu diễn mạch điện gồm một transistor IGBT được nạp từ nguồn điện một chiều Ud transistor cấp điện cho một tổng trở R và cảm kháng L. Ta biết rằng transistor IGBT dẫn điện phải thoả mãn các điều kiện sau - Khi có điện áp dương đặt lên cực colectơ của transistor tức là điện áp đặt lên hai cực colectơ và emitơ của transistor là UCE phải lớn hơn 0 và có xung điện áp điều khiển UGE đưa vào cực cửa của transistor thì transistor sẽ cho dòng điện chạy qua nếu không thoả mãn các điều kiện trên thì transistor sẽ tắc. Để mô phỏng các transistor ta giả thiết rằng transistor là một khóa lý tưởng nghĩa là khi dẫn điện thì điện trở của nó bằng không còn khi không dẫn điện thì điện trở của nó vô cùng lớn. Udk Ud Hình 1 Sơ đồ mạch điện đơn giản của transistor IGBT Gọi Uc X T là các biến logic chúng có giá trị như sau 1 - khi điện áp trên cực colectơ của transistor IGBT dương Uc 0 - khi điện áp trên cực colectơ của transistor IGBT âm 1- khi có tín hiệu điều khiển đưa vào cực điều khiển của transistor IGT X 0- khi không có tín hiệu điều khiển đưa vào cực điều khiển của IGBT 1- khi transistor dẫn điện T 0- khi transistor không dẫn điện 1 Theo nguyên lý hoạt động của transistor IGBT phưong trình trạng thái của tran-si-to IGBT có thể biểu diễn như sau T Uc. X . . 1 Điện áp ra của .
