Trong chương này nội dung chính là tìm hiểu kỹ cấu trúc và đặc điểm của chất bán dẫn điện, chất bán dẫn loại N, chất bán dẫn loại P và chất bán dẫn tổng hợp. Khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ lên chất bán dẫn, từ đó hiểu được cơ chế dẫn điện trong chất bán dẫn. Đây là vật liệu cơ bản dùng trong công nghệ chế tạo linh kiện điện tử, sinh viên cần nắm vững để có thể học tốt các chương sau | Simpo PDF Merge and Split Unregistered Versi on - http Linh Kiện Điện Tử Chương III CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN SEMICONDUCTOR Trong chương này nội dung chính là tìm hiểu kỹ cấu trúc và đặc điểm của chất bán dẫn điện chất bán dẫn loại N chất bán dẫn loại P và chất bán dẫn tổng hợp. Khảo sát ảnh hưởng của nhiệt độ lên chất bán dẫn từ đó hiểu được cơ chế dẫn điện trong chất bán dẫn. Đây là vật liệu cơ bản dùng trong công nghệ chế tạo linh kiện điện tử sinh viên cần nắm vững để có thể học tốt các chương sau. I. CHẤT BÁN DẪN ĐIỆN THUẦN HAY NỘI BẢM Pure semiconductor or intrinsic semiconductor Hầu hết các chất bán dẫn đều có các nguyên tử sắp xếp theo cấu tạo tinh thể. Hai chất bán dẫn được dùng nhiều nhất trong kỹ thuật chế tạo linh kiện điện tử là Silicium và Germanium. Mỗi nguyên tử của hai chất này đều có 4 điện tử ở ngoài cùng kết hợp với 4 điện tử của 4 nguyên tử kế cận tạo thành 4 liên kết hóa trị. Vì vậy tinh thể Ge và Si ở nhiệt độ thấp là các chất cách điện. Hình 1 Tinh thể chất bán dẫn ở nhiệt độ thấp T 00K Nếu ta tăng nhiệt độ tinh thể nhiệt năng sẽ làm tăng năng lượng một số điện tử và làm gãy một số nối hóa trị. Các điện tử ở các nối bị gãy rời xa nhau và có thể di chuyển dễ dàng trong mạng tinh thể dưới tác dụng của điện trường. Tại các nối hóa trị bị gãy ta có các lỗ trống hole . Về phương diện năng lượng ta có thể nói rằng nhiệt năng làm tăng năng lượng các điện tử trong dải hóa trị. Trang 22 Biên soạn Trương Văn Tám Simpo PDF Merge and Split Unregistered Versi on - http Linh Kiện Điện Tử Hình 2 Tinh thể chất bán dẫn ở nhiệt độ cao T 3000K Khi năng lượng này lớn hơn năng lượng của dải cấm 0 7eV đối với Ge và 1 12eV đối với Si điện tử có thể vượt dải cấm vào dải dẫn điện và chừa lại những lỗ trống trạng thái năng lượng trống trong dải hóa trị . Ta nhận thấy số điện tử trong dải dẫn điện bằng số lỗ trống trong dải hóa trị. Nếu ta gọi n là mật độ điện tử có năng lượng trong dải dẫn điện và p là mật độ lỗ trống có năng lượng trong
