linh kiện điện tử là kiến thức bước đầu và căn bản của ngành điện tử .Giao1 trình được biên soạn từ các bài giảng của tác giả trong nhiều năm qua của khoa công nghệ .Giao trình chủ yếu dành cho cho sinh viên chuyên ngành viễn thông | Simpo PDF Merge and Split Unregistered Versi on - http Linh Kiện Điện Tử Vz - IZ Diode lý tưởng Zz Vz0 - Hình 36 5. Diode biến dung Varicap - Varactor diode Phần trên ta đã thấy sự phân bố điện tích dương và âm trong vùng hiếm thay đổi khi điện thế phân cực nghịch thay đổi tạo ra giữa hai đầu diode một điện dung CT AQ A -77 8-7 av Wd Điện dung chuyển tiếp CT tỉ lệ nghịch với độ rộng của vùng hiếm tức tỉ lệ nghịch với điện thế phân cực. Đặc tính trên được ứng dụng để chế tạo diode biến dung mà trị số điện dung sẽ thay đổi theo điện thế phân cực nghịch nên còn được gọi là VVC diode voltage-variable capacitance diode . Điện dung này có thể thay đổi từ 5pF đến 100pF khi điện thế phân cực nghịch thay đổi từ 3 đến 25V. Một ứng dụng của diode là dùng nó như một tụ điện thay đổi. Thí dụ như muốn thay đổi tần số cộng hưởng của một mạch người ta thay đổi điện thế phân cực nghịch của một diode biến dung. Trang 57 Biên soạn Trương Văn Tám Simpo PDF Merge and Split Unregistered Versi on - http Linh Kiện Điện Tử R Diode Ạ biến dung L Lj Hình 38 6. Diode hầm Tunnel diode Được chế tạo lần đầu tiên vào năm 1958 bởi Leo-Esaki nên còn được gọi là diode Esaki. Đây là một loại diode đặc biệt được dùng khác với nhiều loại diode khác. Diode hầm có nồng độ pha chất ngoại lai lớn hơn diode thường rất nhiều cả vùng P lẫn vùng N Đặc tuyến V-I có dạng như sau I mA Đỉnh A Catod Anod 0 5V Vp 0 25 Hình 39 B Thung lũng Diode thường Diode hầm V volt Khi phân cực nghịch dòng điện tăng theo điện thế. Khi phân cực thuận ở điện thế thấp dòng điện tăng theo điện thế nhưng khi lên đến đỉnh A Vp Ip dòng điện lại tự động giảm trong khi điện thế tăng. Sự biến thiên nghịch này đến thung lũng B VV IV . Sau đó dòng điện tăng theo điện thế như diode thường có cùng chất bán dẫn cấu tạo. Đặc tính cụ thể của diode hầm tùy thuộc vào chất bán dẫn cấu tạo Ge Si GaAs galium Asenic GaSb galium Atimonic . Vùng AB là vùng điện trở âm thay đổi từ khoảng 50 đến 500 mV . Diode được .
