Đáp ứng tần số cao của mạch khuếch đại ghép RC - Bộ khuếch đại transistor ở tần số cao . Ở tần số thấp mạch khuếch đại có đáp ứng phụ thuộc tụ ghép và bypass. Ở tần số cao đáp ứng tần số bị giới hạn do các điện dung bên trong của BJT, FET | ĐÁP TUYẾN TẦN SỐ CAO CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC Chương 2 Bộ khuếch đại transistor ở tần số cao Ở tần số thấp mạch khuếch đại có đáp ứng phụ thuộc tụ ghép và bypass. Ở tần số cao đáp ứng tần số bị giới hạn do các điện dung bên trong của BJT, FET Mạch tương đương hình PI của BJT Mạch tương đương hình PI của BJT Tần số cắt (cut off frequency) Tần số cắt β là tần số cắt 3dB của độ lợi dòng ngắn mạch ngõ ra Giới hạn tần số cao fT : là tần số mà tại đó độ lợi dòng mạch CE bằng 1 Mô hình CB ở tần số cao Mô hình PI với nguồn áp: Ta tham khảo datasheet của BJT C1815 datasheet của BJT C1815 Phân tích mạch khuếch đại BJT ở tần số cao Đặc tính Transistor ở tần số cao Ở dải tần số cao, đáp ứng tần số của transistor bị giới hạn do các điện dung kí sinh giữa các lớp tiếp giáp PN. Thông thường các Cb’e có giá trị vài trăm ÷ vài chục pF, với BJT cao tần Cb’e khoảng vài chục pF. Cb’e, Cb’c, quyết định tần số giới hạn trên trong đáp ứng cao tần. Cb’c có giá trị vài chục ÷ vài pF, với BJT cao tần . | ĐÁP TUYẾN TẦN SỐ CAO CỦA MẠCH KHUẾCH ĐẠI GHÉP RC Chương 2 Bộ khuếch đại transistor ở tần số cao Ở tần số thấp mạch khuếch đại có đáp ứng phụ thuộc tụ ghép và bypass. Ở tần số cao đáp ứng tần số bị giới hạn do các điện dung bên trong của BJT, FET Mạch tương đương hình PI của BJT Mạch tương đương hình PI của BJT Tần số cắt (cut off frequency) Tần số cắt β là tần số cắt 3dB của độ lợi dòng ngắn mạch ngõ ra Giới hạn tần số cao fT : là tần số mà tại đó độ lợi dòng mạch CE bằng 1 Mô hình CB ở tần số cao Mô hình PI với nguồn áp: Ta tham khảo datasheet của BJT C1815 datasheet của BJT C1815 Phân tích mạch khuếch đại BJT ở tần số cao Đặc tính Transistor ở tần số cao Ở dải tần số cao, đáp ứng tần số của transistor bị giới hạn do các điện dung kí sinh giữa các lớp tiếp giáp PN. Thông thường các Cb’e có giá trị vài trăm ÷ vài chục pF, với BJT cao tần Cb’e khoảng vài chục pF. Cb’e, Cb’c, quyết định tần số giới hạn trên trong đáp ứng cao tần. Cb’c có giá trị vài chục ÷ vài pF, với BJT cao tần Cb’c 0 (Transsistor làm việc ở chế độ KĐ) Mạch tương đương tần số cao: Độ lợi dòng điện: Biểu đồ bode: Phân tích mạch khuếch đại FET tần số cao Ở tần số cao các điện dung ở các mối nối trong FET là CGS và CGD . Cgs có giá trị khoảng 50pF ở các FET có tần số thấp nhỏ hơn 5pF ở các FET cao tần. Tụ hồi tiếp Cgd thường nhỏ hơn 5pF và ở các IG-FET cao tần thì nhỏ hơn . Mạch khuếch đại FET ở tần số cao dạng C-S: Sơ đồ tương đương: Cgs từ vài chục ÷ vài pF Cgd từ vài pF
