Bài giảng Sau công nghệ CMOS - điện tử NANO của . Đinh Sỹ Hiền bao gồm những nội dung về công nghệ CMOS; điện tử nano (Transistor phân tử, Spin FET, Transistor đơn điện tử, CNT FET, Graphene FET). Mời các bạn tham khảo bài giảng để bổ sung thêm kiến thức về lĩnh vực này. | SAU CÔNG NGHỆ CMOS - ĐIỆN TỬ NANO GS. TS. ĐINH SỸ HIỀN BM: ĐIỆN TỬ-TRUYỀN THÔNG KHOA: CƠ-ĐiỆN-ĐiỆN TỬ TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM 2014 OUTLINE Mở đầu Giới thiệu về hệ thống vi cơ điện (MEMS)/ video Phỏng vấn GS Geime về Graphene/ video 1. Công nghệ CMOS 2. Điện tử nano Transistor phân tử Spin FET Transistor đơn điện tử CNT FET Graphene FET Kết luận CÔNG NGHỆ CMOS Công nghệ VLSI (very large scale integration) là trung tâm của công nghiệp điện tử mà CMOS là công nghệ chính. 95% vi mạch (IC) dựa trên CMOS. Doanh thu vi mạch: 250 tỷ USD vào năm 2007. IC là sản phẩm có ảnh hưởng sâu sắc tới tiến bộ xã hội và công nghệ. Lịch sử của FET (field effect transistor) TiẾN TRÌNH THỜI GIAN CỦA ĐỘ DÀI CỔNG . ĐỊNH LUẬT MOORE THẾ HỆ CÔNG NGHỆ SCALING Tăng tốc độ Tăng mật độ Giảm giá thành. Scaling tốc độ . Scaling mật độ . Scaling giá thành . Scaling gía nhà máy . Scaling kích thước FET Định nghĩa về công nghệ nano . VI ĐIỆN TỬ TRỞ THÀNH ĐIỆN TỬ NANO NHƯ THẾ NÀO ? Hiệp lực giữa giá thành và đặc trưng SỰ TIẾN HÓA CỦA KHẢ NĂNG MÁY TÍNH /GIÁ THÀNH TĂNG MỨC TÍCH HỢP The candidates: nanotransistors Molecular FET Spin FET Single electron transistor Carbon nanotube FET Graphene FET ĐIỆN TỬ PHÂN TỬ CHUYỂN MẠCH PHÂN TỬ CẤU TRÚC TRANSISTOR ĐƠN PHÂN TỬ TRANSISTOR PHÂN TỬ CỔNG SAU ORGANIC FET CỔNG SAU TOP-GATE FET ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA MFET SPINTRONICS HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ , GMR – Tỷ số từ trở khổng lồ Trở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt từ đối song Trở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt từ song song Hiệu ứng từ trở khổng lồ 1988 – phát minh ra hiệu ứng từ trở khổng lồ 2007- Albert Fert & Peter Grunberg đã nhận giải thưởng Nobel về vật lý VAN SPIN LÀ GÌ ? VAN SPIN TIẾP XÚC ĐƯỜNG HẦM TỪ SPIN FET TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ CẤM COULOMB SET NHIỆT ĐỘ PHÒNG SET FET ỐNG VÀ DÂY NANO ỐNG NANO CARBON ĐƠN TƯỜNG Ống nano đa tường NHỮNG TÍNH CHẤT HẤP DẪN CỦA CNT SỰ HÌNH THÀNH CNT NHỜ CVD XÚC TÁC CNTFET ĐÃ ĐƯỢC CHẾ TẠO CNT FET PHẲNG CNTFET ĐỒNG TRỤC SỰ PHỤ THUỘC DÒNG THẾ VÀO HÀM CÔNG TÓM TẮT VỀ CNT CNT FET phẳng CNT FET ĐỒNG TRỤC TOP-GATE CNT FET Modeling of CNTFET Modeling of CNTFET GRAPHENE Cấu trúc graphene FET CẤU TRÚC GRAPHENE FET CỔNG TRÊN ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA GRAPHENE NANORIBON FET NHỮNG SỰ KIỆN QUAN TRỌNG CỦA PHÁT TRIỂN GRAPHENE THỐNG KÊ CÁC BÀI BÁO ĐÃ CÔNG BỐ VỀ GRAPHENE (vàng) VÀ GRAPHENE HAI LỚP (xám) KẾT LUẬN REFERENCES [1] Dinh Sy Hien, Huynh Lam Thu Thao, Le Hoang Minh, Modeling transport in single electron transistor, Journal of Physics, vol. 187, , UK, 2009. [2] Dinh Sy Hien, Development of quantum simulator for emerging nanoelectronics devices, Journal of ISRN Nanotechnology, vol. 2012, p.(1-10), 2012. [3] Dinh Sy Hien, Some new results of quantum simulator NEMO-VN2, Journal of Progress in Nanotechnology and Nanomaterials, vol. 2013, p. (1-7), 2013.
