Luận văn được tiến hành dựa trên các phương pháp thực nghiệm sẵn có tại cơ sở nghiên cứu, bao gồm: Chế tạo vật liệu nano tinh thể SixGe1-x với các thành phần Si và Ge khác nhau trên nền vật liệu SiO2 bằng phương pháp phóng xạ catot; các phương pháp nghiên cứu tính chất vật lý của vật liệu nano tinh thể SixGe1-x gồm nhiễu xạ kế tia X (XRD), hiển vi điện tử truyền qua (TEM), hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ kế Raman, hệ hấp thụ quang học. | Như vậy, từ điểm của bề mặt mẫu mà điện tử chiếu đến có thể có nhiều loại hạt, loại tia phát xạ ra gọi chung là phát ra tín hiệu. Mỗi loại tín hiệu phản ảnh một đặc điểm của mẫu tại một điểm được điện tử chiều đến. Số lượng điện tử thức cấp phát ra phụ thuộc độ lồi lõm của bề mặt mẫu, số điện tử tán xạ ngược phát ra phụ thuộc vào nguyên tử số Z, bước sóng tia X phát ra phụ thuộc vào nguyên tử ở mẫu là nguyên tố nào. Cho chùm điện tử quét lên mẫu và quét một cách đồng bộ một tia điện tử trên màn hình của đèn hình, thu và khuếch đại một tín hiệu nào đó từ mẫu phát ra để làm thay đổi cường độ sáng của tia điện tử quét trên màn hình, ta thu được ảnh. Nếu thu tín hiệu ở mẫu là điện tử thứ cấp ta có kiểu ảnh điện tử thứ cấp, độ sáng tối trên ảnh cho biết độ lồi lõm, nông sâu trên bề mặt mẫu. Trong kính hiển vi điện tử quét có dùng các thấu kính nhưng chỉ để tập trung chùm điện tử thành một điểm nhỏ chiếu lên mẫu chứ khồn dùng thấu kính để phòng đại. Với ảnh đo theo phương pháp SEM thì mẫu không cần phải lát mỏng và phẳng, cho phép quan sát được độ gồ ghề, mấp mô trên bề mặt mẫu.
