Tóm tắt Luận án Tiến sĩ Khoa học vật liệu: Chế tạo, nghiên cứu tính chất quang và định hướng ứng dụng trong tán xạ raman tăng cường bề mặt của các hệ dây nanô silic xếp thẳng hàng

Luận án nghiên cứu chế tạo các hệ ASiNW trên đế Si bằng phương pháp ăn mòn hóa học có sự trợ giúp của kim loại (metal-assisted chemical etching - MACE) và phương pháp ăn mòn điện hóa có sự trợ giúp của kim loại (metal-assisted electrochemical etching - MAECE); nghiên cứu hình thái cấu trúc và tính chất huỳnh quang của các hệ ASiNW chế tạo được; nghiên cứu ứng dụng hệ ASiNW để chế tạo các đế để phát hiện các phân tử hữu cơ có nồng độ thấp sử dụng hiệu ứng SERS. . | VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ ---------------- Lương Trúc Quỳnh Ngân CHẾ TẠO, NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG VÀ ĐỊNH HƯỚNG ỨNG DỤNG TRONG TÁN XẠ RAMAN TĂNG CƯỜNG BỀ MẶT CỦA CÁC HỆ DÂY NANÔ SILIC XẾP THẲNG HÀNG Chuyên ngành: Vật liệu điện tử Mã số: 62 44 01 23 TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ KHOA HỌC VẬT LIỆU Hà Nội – 2016 Công trình được hoàn thành tại: Học viện Khoa học và Công nghệ, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam. Người hướng dẫn khoa học: GS. TS. Đào Trần Cao, Viện Khoa học Vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam. Phản biện 1: . Phản biện 2: Phản biện 3: Luận án được bảo vệ trước Hội đồng chấm luận án tiến sĩ cấp viện tại Viện Khoa học Vật liệu, Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam. Vào hồi giờ, ngày .tháng . năm Có thể tìm hiểu luận án tại: - Thư viện Học viện Khoa học và Công nghệ; - Thư viện Quốc Gia Việt Nam 1 Mở đầu Dây nanô silic (silicon nanowire –SiNW) thuộc nhóm vật liệu nanô một chiều (1D) với diện tích bề mặt hiệu dụng cao, trong đó các hạt tải bị giới hạn trong hai chiều và tự do trong chiều còn lại. Sự thu nhỏ về kích thước của vật liệu SiNW so với vật liệu khối làm cho các tính chất điện, quang và nhiệt của SiNW có nhiều điểm khác biệt và nổi trội hơn hẳn so với Si khối. Các hệ SiNW xếp thẳng hàng (aligned SiNW - ASiNW) là các hệ SiNW có trật tự, xếp thành hàng lối với nhau. Sự sắp xếp có trật tự của các SiNW không chỉ làm tăng độ ổn định, sự lặp lại trong các lần chế tạo mà còn giúp cho các tính chất của ASiNW sẽ có nhiều điểm ưu việt và độc đáo hơn so với SiNW mất trật tự. Nhờ có những tính chất này nên ASiNW trở thành ứng cử viên đầy hứa hẹn cho các ứng dụng trong nhiều lĩnh vực như các thiết bị điện tử tiên tiến, cảm biến y sinh, thiết bị quang điện tử, và pin mặt trời. Một trong những ứng dụng khá thú vị của các hệ ASiNW là tán xạ Raman tăng cường bề mặt (Surface-Enhanced Raman Scattering .

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
15    89    2    20-04-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.