Đề tài khảo sát ảnh hưởng của chiều dày màng lên cấu trúc, hình thái học và tính chất đảo điện trở thuận nghịch của màng mỏng CrOx được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng magnetron cao áp một chiều (Dc-sputtering). Các kết quả khảo sát phổ tán xạ Raman và phổ dao động hồng ngoại FTIR cho thấy màng mỏng CrOx lắng đọng ở nhiệt độ phòng có thành phần hợp thức đa pha, gồm Cr2O3, CrO2, Cr8O21. | Science & Technology Development, Vol 19, Ảnh hưởng của chiều dày màng lên đặc trưng đảo điện trở thuận nghịch của màng mỏng CrOx Phạm Kim Ngọc Phan Bách Thắng Trần Cao Vinh Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM (Bài nhận ngày 28 tháng 08 năm 2015, nhận đăng ngày 06 tháng 05 năm 2016) TÓM TẮT Trong công trình này chúng tôi đã khảo sát ảnh hưởng của chiều dày màng lên cấu trúc, hình thái học và tính chất đảo điện trở thuận nghịch của màng mỏng CrOx được chế tạo bằng phương pháp phún xạ phản ứng magnetron cao áp một chiều (Dc-sputtering). Các kết quả khảo sát phổ tán xạ Raman và phổ dao động hồng ngoại FTIR cho thấy màng mỏng CrOx lắng đọng ở nhiệt độ phòng có thành phần hợp thức đa pha, gồm Cr2O3, CrO2, Cr8O21. Khi chiều dày màng mỏng CrOx thay đổi từ 30 nm đến 500 nm, cường độ các đỉnh dao động liên quan đến pha Cr2O3 tăng lên đáng kể,chứng tỏ có sự ưu tiên phát triển pha bền Cr2O3 so với các pha khác. Kết quả FESEM xác nhận hình thái học của màng mỏng CrOx có mật độ lỗ xốp giảm và xếp chặt hơn khi chiều dày của màng tăng. Đặc trưng đảo điện trở của các màng mỏng CrOx khác nhau về chiều dày trong cấu trúc Ag/CrOx/FTO đều thể hiện dạng lưỡng cực. Tỷ số đảo điện trở đạt giá trị cao nhất ở màng CrOx dày 100 nm và có xu hướng giảm khi chiều dày màng mỏng CrOx tăng. Từ khóa: đảo điện trở, chiều dày, oxide crôm, RRAM MỞ ĐẦU Trong những năm gần đây, công nghệ thông tin và vi điện tử là những lĩnh vực có sự tiến bộ vượt bậc và có sức ảnh hưởng rất lớn đến đời sống xã hội. Các thiết bị công nghệ với bộ nhớ có dung lượng lớn và truy cập với tốc độ cao dường như đã trở thành nhu cầu tất yếu đối với mỗi người. Chính vì lý do đó, đã có nhiều thế hệ bộ nhớ điện tử đã được nghiên cứu và ứng dụng rộng rãi. Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (random access memory - RAM) bao gồm hai loại chính: khả biến (volatile) và không khả biến (non volatile). Bộ nhớ khả biến là bộ nhớ mà dữ liệu sẽ mất khi tắt nguồn cấp điện như bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM) và bộ
