Bài báo này sử dụng phương pháp hàm Green để dẫn ra các phương trình động học lượng tử mô tả chất bán dẫn bị kích thích với xung laser cực ngắn. Trong đó, mối quan tâm ở đây là sự hình thành thế chắn trong quang bán dẫn. nội dung chi tiết. | Journal of Science – 2014, Vol. 4 (3), 6 – 10 An Giang University SỰ HÌNH THÀNH THẾ CHẮN TRONG CHẤT BÁN DẪN BA CHIỀU (3D) VÀ HAI CHIỀU (2D) Đinh Nguyễn Trọng Nghĩa1 1 ThS. Trường Đại học Công nghiệp Thực phẩm Thành phố Hồ Chí Minh Thông tin chung: Ngày nhận bài: 21/04/14 Ngày nhận kết quả bình duyệt: 27/08/14 Ngày chấp nhận đăng: 22/10/14 Title: The formation of screened potential in three-dimensional (3D) and two-dimentional (2D) GaAS semiconductor Từ khóa: Nonequilibrium green function, quantum kinetics, semiconductors, screened Coulomb potential Keywords: Hàm Green không cân bằng, động học lượng tử, chất bán dẫn, thế Coulomb chắn ABSTRACT We studied the quantum kinetics of the processes of an electron – hole gas in a semiconductor excited by a femtosecond laser pulse. The nonequilibrium green function method was used with the two-time-dependent RPA screened Coulomb potential. The calculation was performed for GaAs which is a common semiconductor. The dependence on wave number and energy of the dielectric function was calculated. We found that the screening of Coulomb potential was formed gradually not instantaneously as in some classical theories. TÓM TẮT Chúng tôi nghiên cứu động học lượng tử của các quá trình xảy ra của hệ điện tử - lỗ trống trong chất bán dẫn bị kích thích bởi xung laser cực ngắn cỡ femto giây. Phương pháp được sử dụng ở đây là phương pháp hàm Green không cân bằng với thế Coulomb chắn phụ thuộc hai thời gian trong gần đúng pha ngẫu nhiên (RPA). Các tính toán được thực hiện cho một chất bán dẫn thông dụng là GaAs. Qua đó tính toán được sự phụ thuộc số sóng và năng lượng của hàm điện môi. Chúng tôi phát hiện ra một hiện tượng thú vị, đó là sự chắn của thế Coulomb được hình thành một cách từ từ chứ không phải tức thời như các quan niệm cổ điển trước đây. 1. GIỚI THIỆU với xung laser cực ngắn ở thang femto giây hay “dưới femto giây”, hệ sẽ trong trạng thái mất cân bằng và sẽ bắt đầu phục hồi về trạng thái cân bằng. Quá trình hệ phục hồi về
