Bài viết Mô phỏng Monte carlo ba chiều bức xạ Terahertz phát ra từ bề mặt bán dẫn InAs trình bày: nghiên cứu lý thuyết về bức xạ TeraHertz phát ra từ bề mặt bán dẫn InAs bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo tập hợp tự hợp ba chiều. Các kết quả mô phỏng đã chỉ ra rằng điện tử chủ yếu chuyển động theo phương x. Cường độ bức xạ TeraHertz phát ra từ bán dẫn loại p lớn hơn so với cường độ bức xạ TeraHertz phát ra từ bề mặt bán dẫn loại n,. . | MÔ PHỎNG MONTE CARLO BA CHIỀU BỨC XẠ TERAHERTZ PHÁT RA TỪ BỀ MẶT BÁN DẪN InAs HOÀNG BÁ BAN - ĐINH NHƯ THẢO Trường Đại học Sư phạm - Đại học Huế Tóm tắt: Bài báo trình bày các nghiên cứu lý thuyết về bức xạ TeraHertz phát ra từ bề mặt bán dẫn InAs bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo tập hợp tự hợp ba chiều. Các kết quả mô phỏng đã chỉ ra rằng điện tử chủ yếu chuyển động theo phương x. Cường độ bức xạ TeraHertz phát ra từ bán dẫn loại p lớn hơn so với cường độ bức xạ TeraHertz phát ra từ bề mặt bán dẫn loại n. Bài báo cũng chỉ ra rằng bức xạ TeraHertz phát ra từ bán dẫn InAs loại p có tần số cao hơn so với bức xạ phát ra từ bán dẫn loại n khi sử dụng cùng một loại laser kích thích. 1. GIỚI THIỆU Bức xạ TeraHertz (THz) là bức xạ có tần số cao nằm trong khoảng 10 THz đến 30 THz, bức xạ TeraHertz có vai trò quan trong các ngành khoa học và kỹ thuật: vật lý học, hoá học, y học, thiên văn học, sinh học. Các nghiên cứu và báo cáo chỉ ra rằng, bán dẫn InAs phát ra các sóng THz với cường độ cao hơn một bậc về mặt biên độ so với những bán dẫn có năng lượng khe vùng rộng như InP hay GaAs dưới cùng điều kiện. Theo hướng (100) bán dẫn InAs bức xạ các sóng THz chủ yếu do sự vận chuyển hạt tải được điều khiển bởi trường Dember quang [8]. Thêm vào đó, bức xạ THz phát ra từ các bề mặt bán dẫn đã được nghiên cứu rộng rãi bằng phương pháp mô phỏng Monte Carlo tập hợp tự hợp một chiều [10]. Gần đây, [8] và các cộng sự đã tiến hành các thực nghiệm bức xạ THz phát ra từ một chuỗi các lớp mỏng bán dẫn InAs loại n và loại p dưới ảnh hưởng của hiệu ứng Dember quang. Kết quả thí nghiệm đã chỉ ra rằng hiệu suất bức xạ THz phát ra từ bán dẫn InAs loại p lớn hơn bán dẫn InAs loại n. Vấn đề này đã được các tác giả Ngô Quốc Hưng và Nguyễn Duy Hoàng nghiên cứu về mặt lí thuyết [2], [3]. Các tác giả trên đã mô phỏng bức xạ THz phát ra từ các loại bán dẫn khác nhau từ việc sử dụng các phương pháp phương trình cân bằng [2] và dưới ảnh hưởng của hiệu ứng Dember quang [3] đã thu được kết quả .
