Cộng hưởng Electron phonon trong dây lượng tử hình chữ nhật

Bài viết Cộng hưởng Electron phonon trong dây lượng tử hình chữ nhật trình bày Tương tác electron-phonon và cộng hưởng electron - phonon (EPR) trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế vô hạn dưới tác dụng của trường laser được nghiên cứu về mặt lý thuyết dựa trên phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái loại II,. . | CỘNG HƯỞNG ELECTRON-PHONON TRONG DÂY LƯỢNG TỬ HÌNH CHỮ NHẬT LÊ ĐÌNH Trường Đại học Sư phạm - Đại học Huế NGUYỄN ĐÌNH HIÊN Học viên Cao học, Trường ĐHSP - Đại học Huế Tóm tắt: Tương tác electron-phonon và cộng hưởng electron - phonon (EPR) trong dây lượng tử hình chữ nhật với thế vô hạn dưới tác dụng của trường laser được nghiên cứu về mặt lý thuyết dựa trên phương pháp toán tử chiếu phụ thuộc trạng thái loại II. Từ đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của công suất hấp thụ vào tần số trường laser chúng tôi thu được đồ thị diễn tả sự phụ thuộc của nửa độ rộng vạch phổ vào nhiệt độ và kích thước của dây. Kết quả thu được cho thấy độ cao của đỉnh cộng hưởng và nửa độ rộng vạch phổ tỷ lệ thuận với nhiệt độ và tỷ lệ nghịch với kích thước của dây. 1 GIỚI THIỆU Cộng hưởng electron-phonon là một hiện tượng thú vị xảy ra trong bán dẫn dưới tác dụng của trường ngoài. Hiện tượng này liên quan đến tính kỳ dị của mật độ trạng thái của electron trong bán dẫn. Khi hiệu số hai mức năng lượng của electron bằng năng lượng phonon cùng với điều kiện thế đặt vào đủ lớn thì sẽ xảy ra sự cộng hưởng EPR [1, 2]. Việc nghiên cứu tương tác electron-LO phonon trong bán dẫn dây lượng tử dưới tác dụng của trường laser đã và đang được các nhà khoa học rất quan tâm. Sở dĩ như vậy là đối với một bán dẫn có độ tinh khiết cao thì tương tác electron-phonon là loại tương tác chủ yếu. Nó sẽ góp phần làm sáng tỏ các tính chất mới của khí electron chuẩn 1 chiều dưới tác dụng trường ngoài, từ đó cung cấp thông tin về tinh thể và tính chất quang của dây lượng tử bán dẫn cho công nghệ chế tạo các linh kiện quang điện tử và quang tử. Bài báo được phân bố như sau: trong phần 2 chúng tôi sử dụng phép chiếu phụ thuộc trạng thái loại II để tính biểu thức tenxơ độ dẫn và công suất hấp thụ. Kết quả tính số và vẽ đồ thị giới thiệu ở mục 3, cuối cùng là phần kết luận ở mục 4. Tạp chí Khoa học và Giáo dục, Trường Đại học Sư phạm Huế ISSN 1859-1612, Số 04(12)/2009: tr. 5-10 6 LÊ ĐÌNH - NGUYỄN ĐÌNH HIÊN 2 BIỂU THỨC CỦA

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.