Hiện nay có nhiều phương pháp kiểm tra khuyết tật của sản phẩm mà không cần phá huỷ mẫu (Non-Destroyed Technique - NDT) như phương pháp truyền qua, chụp ảnh phóng xạ và phương pháp dùng sóng siêu âm cho kết quả nhanh chóng với độ chính xác cao. Tuy nhiên trong nhiều trường hợp thực tế các phương pháp trên không được áp dụng mà thay vào đó là phương pháp tán xạ ngược được dùng với ưu điểm là nguồn và đầu dò có thể bố trí cùng một phía dù độ chính xác tương đối lớn. | TAÏP CHÍ PHAÙT TRIEÅN KH&CN, TAÄP 11, SOÁ 06 - 2008 NGHIÊN CỨU PHỔ GAMMA TÁN XẠ NGƯỢC CỦA ĐẦU DÒ HPGE BẰNG CHƯƠNG TRÌNH MCNP Trương Thị Hồng Loan, Phan Thị Quý Trúc, Đặng Nguyên Phương Trần Thiện Thanh,Trần Ái Khanh, Trần Đăng Hoàng Truờng Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM 1 GIỚI THIỆU Hiện nay có nhiều phương pháp kiểm tra khuyết tật của sản phẩm mà không cần phá huỷ mẫu (Non-Destroyed Technique - NDT) như phương pháp truyền qua, chụp ảnh phóng xạ và phương pháp dùng sóng siêu âm cho kết quả nhanh chóng với độ chính xác cao. Tuy nhiên trong nhiều trường hợp thực tế các phương pháp trên không được áp dụng mà thay vào đó là phương pháp tán xạ ngược được dùng với ưu điểm là nguồn và đầu dò có thể bố trí cùng một phía dù độ chính xác tương đối lớn. Trong những năm qua, tại Việt Nam, phương pháp tán xạ ngược đã được nghiên cứu rộng rãi. Tuy nhiên việc áp dụng phương pháp này vào trong công nghiệp vẫn chưa được phát triển mạnh mẽ do việc bố trí thực nghiệm để đạt đến điều kiện tối ưu rất khó khăn và tốn kém. Do đó để hỗ trợ cho quá trình khảo sát thực nghiệm, trong công trình này chúng tôi áp dụng phương pháp nghiên cứu mô phỏng phổ gamma tán xạ ngược bằng chương trình MCNP. Tán xạ ngược là hiện tượng khi tia gamma va chạm lên bản vật chất thì bị tán xạ ngược so với hướng ban đầu [3]. Khi bề dày vật chất vô cùng mỏng, hiện tượng tán xạ ngược không xảy ra. Khi bề dày vật chất tăng, sự tán xạ ngược cũng tăng theo và đạt đến giá trị bão hòa. Trên cơ sở cấu trúc chi tiết của đầu dò HPGe có tại bộ môn Vật Lý Hạt Nhân, trường Đại học Khoa học Tự nhiên, chúng tôi tiến hành mô phỏng phổ gamma tán xạ ngược lên một bản nhôm bằng chương trình MCNP [2]. Dựa trên thí nghiệm này ta khảo sát phổ tán xạ ngược của nhôm khi quay đầu dò từ vị trí 600 đến 1200 sử dụng nguồn Iridium-192 với mức năng lượng là 316,5 keV để thấy được vị trí mà tại đó sự đóng góp của tán xạ một lần là lớn nhất. Từ vị trí đó ta thay đổi bề dày của nhôm tán xạ để tìm được bề dày bão hòa của nhôm trong tán xạ
