Bài viết nghiên cứu tính chất quang điện, cấu trúc tinh thể của màng SnO2 pha tạp antimony (Sb) được lắng đọng trên đế thạch anh bằng phương pháp phún xạ magnetron DC từ bia gốm hỗn hợp SnO2 và Sb2O3. | TAÏP CHÍ PHAÙT TRIEÅN KH&CN, TAÄP 18, SOÁ T1 - 2015 Tối ưu hóa tính chất quang điện màng dẫn điện trong suốt SnO2:Sb (ATO) loại p được chế tạo bằng phương pháp phún xạ magnetron Đặng Hữu Phúc Nguyễn Văn Duẫn Nguyễn Sĩ Hoài Vũ Lê Trấn Lê Văn Hiếu Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM ( Bài nhận ngày 02 tháng 12 năm 2014, nhận đăng ngày 22 tháng 06 năm 2015) TÓM TẮT Màng SnO2 pha tạp Sb (ATO) được chế tạo từ bia gốm hỗn hợp (SnO2+ Sb2O3) bằng phương pháp phún xạ magnetron dòng một -3 chiều (DC) trong khí nền Ar ở áp suất 2,10 torr. Phổ nhiễu xạ tia X (XRD), hiệu ứng Hall và phổ truyền qua UV-VIS được sử dụng để khảo sát đặc trưng của màng. Nhiệt độ đế của màng được khảo sát theo hai cách, cách thứ nhất màng được ủ trong khí Ar sau khi được lắng đọng ở nhiệt độ phòng, cách thứ hai màng được lắng đọng trực tiếp theo nhiệt độ đế. Kết quả cho thấy, màng ATO được tạo theo cách thứ nhất dễ dàng cho loại p hơn. Màng có tính chất điện loại p, có cấu trúc đa tinh thể bốn phương (tetragonal – tứ giác) rutile của màng SnO2 tinh khiết, và có độ truyền qua trong vùng khả kiến trên 80 % 0 ở nhiệt độ ủ tối ưu 500 C. Tính chất điện của màng tốt nhất với điện trở suất, nồng độ lỗ trống và độ linh động tương ứng là 19 -3 2 1 -1 0,55 .cm, 1, cm và 0,54 cm V s và phần trăm Sb2O3 tối ưu trong bia là 10 % wt. Từ khóa: Bán dẫn loại p, phún xạ, antimony. GIỚI THIỆU Trong những năm đầu của thế kỷ 21, các loại màng dẫn điện trong suốt(TCO) loại n như ITO[26], ZnO pha tạp kim loại nhóm III[12], SnO2 pha tạp kim loại nhóm V[24] hoặc Flo(F)[25]đã phát triển đến đỉnh cao và đạt đến mức bão hòa với điện trở suất cỡ10-4 , nồng độ hạt tải âm cỡ 1021 cm-3, độ truyền qua trong vùng ánh sáng khả kiến trên 80 %. Kết quả đạt được này đã được ứng dụng vào thực tiễn như điện cực trong suốt cho pin mặt trời, các loại LED, cửa sổ điện sắc, màn hình hiển thị phẳng [2, 5] Chính vì sự bão hòa của TCO loại n cũng như công nghệ bán dẫn cần được phát triển rộng hơn trong tương lai, .
