Chúng tôi khảo sát độ linh động của khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử AlP có độ suy biến valley g 1 ứng với bề rộng L Lc = . Với nhiệt độ thấp, chúng tôi tính độ linh động như một hàm theo mật độ điện tử cho tán xạ bề mặt nhám và tạp chất với hiệu chỉnh trường cục bộ Hubbard. Chúng tôi khảo sát điện trở theo nhiệt độ hữu hạn và từ trường song song. Chúng tôi cũng tính hệ số Seebeck cho từng cơ chế tán xạ và cơ chế tổng theo mật độ điện tử, bề rộng giếng lượng tử. | TAÏP CHÍ PHAÙT TRIEÅN KH&CN, TAÄP 18, SOÁ T4- 2015 Các tính chất vận chuyển và hệ số Seebeck của khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử AlP Võ Văn Tài Trường CĐ Bán công Công nghệ & QTDN HCM Nguyễn Quốc Khánh Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM ( Bài nhận ngày 04 tháng 12 năm 2014, nhận đăng ngày 23 tháng 09 năm 2015) TÓM TẮT Chúng tôi khảo sát độ linh động của khí điện tử giả hai chiều trong giếng lượng tử AlP có độ suy biến valley g 1 ứng với bề rộng L Lc = . Với nhiệt độ thấp, chúng tôi tính độ linh động như một hàm theo mật độ điện tử cho tán xạ bề mặt nhám và tạp chất với hiệu chỉnh trường cục bộ Hubbard. Chúng tôi khảo sát điện trở theo nhiệt độ hữu hạn và từ trường song song. Chúng tôi cũng tính hệ số Seebeck cho từng cơ chế tán xạ và cơ chế tổng theo mật độ điện tử, bề rộng giếng lượng tử. Từ khóa: giếng lượng tử AlP; độ linh động; điện trở suất; hệ số Seebeck MỞ ĐẦU Trong nhiều thập niên gần đây do yêu cầu của công nghệ điện tử, việc tìm kiếm các vật liệu bán dẫn, đặc biệt là bán dẫn cấu trúc lớp có độ linh động cao, nhận được sự quan tâm của nhiều nhà nghiên cứu [1-7]. Biết rằng độ linh động được quyết định bởi các cơ chế tán xạ của hạt tải như tán xạ tạp chất ion hóa, bề mặt nhám, mất trật tự hợp kim, phonon vv [8-11]. Tùy thuộc vào vật liệu, cấu trúc, nhiệt độ, độ pha tạp mà tầm quan trọng của từng cơ chế tán xạ có thể thay đổi. Để xác định cơ chế tán xạ ảnh hưởng chủ yếu đến độ linh động người ta đã thực hiện các thí nghiệm ở các điều kiện khác nhau. Gần đây, người ta còn sử dụng từ trường để nghiên cứu các cơ chế tán xạ. Sự có mặt của từ trường cũng gây nên các hiệu ứng vật lý mới và cho chúng ta các khả năng ứng dụng trong tương lai [12-15]. Trong bài báo này, chúng tôi tập trung nghiên cứu các tính chất vận chuyển (độ linh động và điện trở) và hệ số Seebeck của hệ điện tử trong giếng lượng tử GaP/AlP/GaP (khảo sát bề mặt của AlP theo hướng (001)) [16]. Vì cực tiểu năng lượng nằm tại điểm X của vùng Brillouin nên .
