Poly(styrenesulfonic acid)-grafted poly(ethylene-co-tetrafluoroethylene) (ETFE-PEMs) được tổng hợp bằng phương pháp chiếu xạ gamma trong đó phim ban đầu ETFE được chiếu xạ và ghép mạch bởi monomer styrene (Grafted-ETFE) sau đó là sunfo hoá để tạo thành màng dẫn proton. Cấu trúc vùng chuyển tiếp của ETFE-PEMs được nghiên cứu như là hàm của mức độ ghép mạch bức xạ (GD) bởi phương pháp tán xạ tia X góc nhỏ bằng cách so sánh với các phim ban đầu grafted-ETFE và ETFE. | Tạp chí Khoa học và Công nghệ 54 (1A) (2016) 252-260 XÁC ĐỊNH CẤU TRÚC VÙNG CHUYỂN TIẾP CỦA MÀNG ĐIỆN CỰC POLYMER SỬ DỤNG CHO PIN NHIÊN LIỆU: TIẾP CẬN TỪ VIỆC HIỆU CHỈNH QUY LUẬT POROD Huỳnh Thị Hải1, *, Nguyễn Hoàng Anh2, Trần Duy Tập2, Lương Tuấn Anh2, Lưu Anh Tuyên3, Đỗ Duy Khiêm3, Nguyễn Quốc Hiến4 Viện Kỹ thuật công nghệ cao NTT, Đại học Nguyễn Tất Thành, 298A Nguyễn Tất Thành, Q4, Tp. HCM 2 Đại học Khoa học tự nhiên , 227 Nguyễn Văn Cừ, Quận 5, 1 3 4 Trung tâm Kỹ thuật hạt nhân, 217 Nguyễn Trãi, Quận 1, Trung tâm Nghiên cứu và Triển khai công nghệ bức xạ, 202A Đường 11, P. Linh Xuân, Q. Thủ Đức, Tp. HCM * Email: huynhthihaivlh02@ Đến Tòa soạn: 31/08/2015; Chấp nhận đăng: 28/10/2015 TÓM TẮT Poly(styrenesulfonic acid)-grafted poly(ethylene-co-tetrafluoroethylene) (ETFE-PEMs) được tổng hợp bằng phương pháp chiếu xạ gamma trong đó phim ban đầu ETFE được chiếu xạ và ghép mạch bởi monomer styrene (Grafted-ETFE) sau đó là sunfo hoá để tạo thành màng dẫn proton. Cấu trúc vùng chuyển tiếp của ETFE-PEMs được nghiên cứu như là hàm của mức độ ghép mạch bức xạ (GD) bởi phương pháp tán xạ tia X góc nhỏ bằng cách so sánh với các phim ban đầu grafted-ETFE và ETFE. Bởi vì sự lệch của quy luật Porod đã được phát hiện do sự tồn tại của thăng giáng mật độ electron và sự khuếch tán vùng chuyển tiếp nên việc hiệu chỉnh quy luật Porod đã được thực hiện bằng cách sử dụng hàm mô tả mật độ electron tại vùng chuyển tiếp dạng hình tam giác để tính toán bề dày vùng chuyển tiếp của các phim. Kết quả cho thấy rằng giá trị bề dày vùng chuyển tiếp (1 - 2 nm) phụ thuộc vào mô hình mô tả mật độ electron tại vùng chuyển tiếp và mô hình để hiệu chỉnh thăng giáng mật độ electron. Chú ý rằng bề dày vùng chuyển tiếp thay đổi theo quy trình tổng hợp mẫu cũng như theo mức độ ghép mạch và ảnh hưởng đến tính dẫn proton và độ bền cơ học của PEM sử dụng cho pin nhiên liệu. Từ khoá: tán xạ tia X góc nhỏ, pin nhiên liệu, bề dày vùng chuyển tiếp, chiếu xạ. 1. GIỚI .
