Trong bài báo này, chúng tôi trình bày lý thuyết phiếm hàm mật độ gần đúng gradient tổng quát (DFT-GGA) trong việc tính toán và phân tích sự hình thành cấu trúc tinh thể khối lập phương tâm mặt của hợp kim Si1- xGex (với x = ; ; ; và ). Kết quả cho thấy sự thay thế của các nguyên tử Ge vào các vị trí của Si là ổn định, đồng thời làm gia tăng hằng số mạng tinh thể. | Tạp chí Khoa học và Công nghệ 124 (2018) 063-067 Sử dụng lý thuyết phiếm hàm mật độ nghiên cứu sự hình thành tinh thể nano hợp kim Si-Ge Forrmation of Si - Ge Alloy Nanocrystals: First-Principles Calculation NguyễnTrường Giang1, 2, *, Lê Thành Công1, Nguyễn Đức Dũng1, Ngô Ngọc Hà1, Trần Văn Quảng2 2 1 Trường Đại học Bách khoa Hà Nội – Số 1, Đại Cồ Việt, Hai Bà Trưng, Hà Nội Trường Đại học Giao Thông Vận Tải, Số 3 Cầu Giấy, Láng Thượng, Đống Đa, Hà Nội Đến Tòa soạn: 28-9-2016; chấp nhận đăng: 25-1-2018 Tóm tắt Trong bài báo này, chúng tôi trình bày lý thuyết phiếm hàm mật độ gần đúng gradient tổng quát (DFT-GGA) trong việc tính toán và phân tích sự hình thành cấu trúc tinh thể khối lập phương tâm mặt của hợp kim Si1xGex (với x = ; ; ; và ). Kết quả cho thấy sự thay thế của các nguyên tử Ge vào các vị trí của Si là ổn định, đồng thời làm gia tăng hằng số mạng tinh thể. Kết quả tính toán này có sự tương đồng với kết quả thực nghiệm có được trên mẫu mẫu nano hợp kim Si-Ge chế tạo bằng phương pháp đồng phún xạ. Từ khóa: Hợp kim Si-Ge, nano tinh thể, phiếm hàm mật độ, gần đúng gradient tổng quát. Abstract In this report, we employed first-principles calculation within the framework of density functional theory in generalized gradient approximation to analyze the stability of Si1-xGex alloys (x = ; ; ; and ) in face-centered cubic (FCC) crystal-structure. The results show that the substitution of Ge atoms into Si sites is stable with the relevant compositions and the lattice constant of the alloy is gradually increased with the composition x. These are in good agreement with experimental results obtained from analyses of Si-Ge nanocrystals prepared by co-sputtering method. Keywords: Si-Ge alloys, nano-crystal, density functional theory, generalized gradient approximation. những tính chất lý hóa tương đối giống nhau. Sự tương đồng về tính chất của vật liệu Si và Ge là lý do để có thể chế tạo các vật liệu .
