Trong nghiên cứu này, sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge được tập trung khảo sát. Vị trí của các nguyên tử P được thiết lập lại nhờ kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử (APT). Màng Ge được xử lý nhiệt sau khi tăng trưởng ở nhiệt độ 700 oC trong thời gian 60 giây để tạo ứng suất và kích hoạt điện tử pha tạp đồng thời cải thiện chất lượng tinh thể. | Lương Thị Kim Phượng Tạp chí KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ 189(13): 79 - 84 NGHIÊN CỨU SỰ PHÂN BỐ CỦA CÁC NGUYÊN TỬ PHỐT PHO PHA TẠP TRONG MÀNG GE TĂNG TRƯỞNG EPITAXY TRÊN ĐẾ SI(100) BẰNG KỸ THUẬT CHỤP CẮT LỚP ĐẦU DÒ NGUYÊN TỬ Lương Thị Kim Phượng* Đại học Hồng Đức TÓM TẮT Các nghiên cứu cho thấy khả năng phát quang của Germani (Ge) có thể cải thiện đáng kể nếu áp dụng một ứng suất căng và pha tạp điện tử trong màng Ge để thay đổi cấu trúc vùng năng lượng của nó. Điện tử pha tạp được tạo ra nhờ pha tạp phốt pho (P) từ nguồn rắn Gali phốt pho (GaP). Mật độ nguyên tử P tổng cộng trong lớp Ge là 7,5x1020 cm-3 tuy nhiên nồng độ điện tử đã kích hoạt sau khi xử lý nhiệt chỉ đạt cỡ 2x10 19 cm-3. Nghĩa là vẫn còn 7,3x1020 cm-3 nguyên tử phốt pho vẫn chưa được kích hoạt và chiếm giữ các vị trí xen kẽ trong mạng nền. Trong nghiên cứu này, sự phân bố của các nguyên tử phốt pho pha tạp trong màng Ge được tập trung khảo sát. Vị trí của các nguyên tử P được thiết lập lại nhờ kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử (APT). Màng Ge được xử lý nhiệt sau khi tăng trưởng ở nhiệt độ 700 oC trong thời gian 60 giây để tạo ứng suất và kích hoạt điện tử pha tạp đồng thời cải thiện chất lượng tinh thể. Màng Ge được tăng trưởng trên đế Si định hướng (100) bằng kỹ thuật epitaxy chùm phân tử (MBE). Chất lượng bề mặt của màng và và chất lượng tinh thể của lớp Ge được khảo sát bằng thiết bị nhiễu xạ điện tử phản xạ năng lượng cao (RHEED). Hiệu suất phát quang của màng Ge được đánh giá từ phép đo phổ huỳnh quang trong vùng hồng ngoại. Từ khóa: Germani; pha tạp phốt pho; phổ huỳnh quang; chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử; quang điện tử MỞ ĐẦU* Việc hiện thực hoá một nguồn sáng trên cơ sở Si để tương thích với công nghệ chế tạo mạch tích hợp CMOS (Complementarry Metal Oxide Semiconductor) là mục tiêu của nhiều nhóm nghiên cứu trong những thập niên gần đây. Nó sẽ mở ra nhiều triển vọng ứng dụng quan trọng, nhất là việc thay thế truyền thông tin bằng tín hiệu điện sang truyền dẫn thông tin bằng tín hiệu quang
