Chương 5 - Transistor Hiệu ứng trường FET. Chương này trình bày những nội dung chính: Cấu tạo, đặc tính JFET; phân cực JFET; cấu tạo, đặc tính và phân cực MOSFET kênh liên tục; cấu tạo, đặc tính và phân cực MOSFET kênh gián đoạn. | CÁC THIẾT BỊ VÀ MẠCH ĐIỆN TỬ Chương 5 Transistor Hiệu ứng trường FET Cấu tạo, đặc tính JFET Phân cực JFET Cấu tạo, đặc tính và phân cực MOSFET kênh liên tục Cấu tạo, đặc tính và phân cực MOSFET kênh gián đoạn TRỊNH LÊ HUY 1 Transistor hiệu ứng trường JFET ➢ 1930: Julius Lilienfeld được cấp bằng sáng chế cho ý tưởng về một transistor có thể thay đổi khả năng dẫn nhờ vào hiệu ứng trường. Tuy nhiên, trong thời điểm này, vật liệu để biến ý tưởng của J. Lilienfeld thành thực tế vẫn chưa tồn tại. Do đó ý tưởng này chỉ nằm trên giấy! ➢ 1959: Khi vật liệu bán dẫn đã được nghiên cứu và chế tạo, transistor FET đầu tiên được ra đời bởi Dawon Kahng và Martin Atalla TRỊNH LÊ HUY 2 Transistor hiệu ứng trường JFET ➢ Ý tưởng về transistor hiệu ứng trường TRỊNH LÊ HUY 3 Transistor hiệu ứng trường JFET ➢ Transistor hiêu ứng trường FET là một switch đóng ở trạng thái bình thường. (cho dòng điện chạy qua) ➢ Khi phân cực cho transistor FET, switch sẽ chuyển dần từ đóng sang mở. (cường độ dòng điện sẽ giảm dần và bằng không) ➢ FET cấu tạo gồm 2 vật liệu bán dẫn loại N và P. ➢ Cực Drain (máng) và Source (nguồn) sẽ được nối với kênh N. ➢ Cực Gate (cổng) sẽ được nối vào 2 kênh P của FET. TRỊNH LÊ HUY 4 Transistor hiệu ứng trường JFET ➢ Cách thức hoạt động VGG < 0 VGG TRỊNH LÊ .
