Trong bài viết này, chúng tôi nghiên cứu quá trình tán xạ e+ e - sinh Higgs và U-hạt thông qua hạt truyền trung gian là U-hạt. Cụ thể, chúng tôi khảo sát sự phụ thuộc của tiết diện tán xạ toàn phần theo bình phương môđun của hệ số Uc và thứ nguyên tỷ lệ Ud . | Quá trình sinh higgs và U hạt từ tán xạ e+ e-trong mô hình Randall-Sundrum Vật lý & Khoa học vật liệu QUÁ TRÌNH SINH HIGGS VÀ U-HẠT TỪ TÁN XẠ e e- TRONG MÔ HÌNH RANDALL-SUNDRUM Nguyễn Thị Hậu1*, Lê Như Thục2 Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu quá trình tán xạ e+ e- sinh Higgs và U-hạt thông qua hạt truyền trung gian là U-hạt. Cụ thể, chúng tôi khảo sát sự phụ thuộc của tiết diện tán xạ toàn phần theo bình phương môđun của hệ số cU 2 và thứ nguyên tỷ lệ dU . Kết quả cho thấy tiết diện tán xạ toàn phần tăng khi cU và dU tăng; tiết diện tán xạ toàn phần cho giá trị lớn nhất khi dU nhận giá trị trong 2 khoảng từ đến và cU nhận giá trị trong khoảng từ 2000 đến 4500. Từ khóa: Mô hình chuẩn; Mô hình Randall-Sundrum; Vật lý U-hạt; Tiết diện tán xạ. 1. GIỚI THIỆU Sự ra đời của Mô hình chuẩn (Standard model - SM) đã đem lại cho chúng ta một cái nhìn khái quát về bức tranh các hạt cơ bản và các tương tác, góp phần quan trọng vào sự phát triển của vật lý nói chung và vật lý hạt nói riêng. Tuy nhiên, SM vẫn còn tồn tại một số hạn chế chưa giải quyết được. Để giải quyết những hạn chế của mô hình chuẩn, các hướng mở rộng mô hình chuẩn ra đời và nó hứa hẹn nhiều hiện tượng vật lý mới, rất thú vị tại thang năng lượng cao. Trong bài báo này, chúng tôi đề cập tới mô hình mở rộng Randall-Sundrum (RS) với sự tham gia của U-hạt (Unparticle). Mô hình RS là một trong những mô hình mở rộng mang lại nhiều hệ quả vật lý mới. Đây là mô hình mở rộng không - thời gian 4 chiều có tọa độ x μ thành không - thời gian 5 chiều có tọa độ (x μ , ) với chiều thứ 5 được compact trên vòng tròn S1 [1]. Không thời gian mở rộng là M 4 ( S 1 / Z 2 ), trong đó, (S1/ Z2) chính là Orbifold với hai điểm cố định 0 và π . Brane tử ngoại (UV-Brane) được đặt tại 0 , trong Brane này tương tác chủ yếu là tương tác hấp dẫn. Brane hồng ngoại (TeV-Brane) định xứ tại π . Ở Brane này, tương tác chiếm ưu thế là các tương .
