Từ dòng quang điện đo được này, nhiều thông số và đặc tính khác nhau của phần tử khảo sát có thể được làm rõ. Bài báo giới thiệu về nguyên lý của phương pháp OBIC và ứng dụng của nó trong việc khảo sát đi-ốt công suất làm từ vật liệu SiC. | Ứng dụng phương pháp dòng quang điện cảm ứng để nghiên cứu đi-ốt bán dẫn công suất SCIENCE TECHNOLOGY ỨNG DỤNG PHƯƠNG PHÁP DÒNG QUANG ĐIỆN CẢM ỨNG ĐỂ NGHIÊN CỨU ĐI-ỐT BÁN DẪN CÔNG SUẤT APPLYING OPTICAL BEAM-INDUCED CURRENT IN THE CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR POWER DIODES Nguyễn Duy Minh trong một số lĩnh vực ứng dụng đòi hỏi độ tin cậy cao hoặc TÓM TẮT kích thước, khối lượng bộ biến đổi công suất có vai trò Phương pháp dòng quang điện cảm ứng (OBIC) là một phương pháp dựa quyết định như truyền tải điện một chiều siêu cao áp trên việc đo dòng điện kích thích sinh ra do một chùm tia laser với bước sóng (HVDC), hàng không - vũ trụ, đầu kéo đường sắt hay quốc thích hợp chiếu trên bề mặt của một linh kiện bán dẫn. Từ dòng quang điện đo phòng. Tuy nhiên, do việc nghiên cứu và phát triển các linh được này, nhiều thông số và đặc tính khác nhau của phần tử khảo sát có thể được kiện bán dẫn WBG mới tập trung nhiều trong khoảng 20 làm rõ. Bài báo giới thiệu về nguyên lý của phương pháp OBIC và ứng dụng của năm trở lại đây nên các thành tựu đạt được còn kém ngành nó trong việc khảo sát đi-ốt công suất làm từ vật liệu SiC. công nghiệp Si về nhiều mặt như về kích thước và độ tinh Từ khóa: Phương pháp dòng quang điện cảm ứng, linh kiện bán dẫn, đi-ốt khiết của tấm vật liệu nền (wafer), xác suất linh kiện thành công suất. phẩm đạt chất lượng hay các linh kiện sản xuất ra còn nằm khá xa các giới hạn vật lý của vật liệu. Do đó nhiều phương ABSTRACT pháp được áp dụng để khảo sát, nghiên cứu các linh kiện Optical Beam-Induced Current (OBIC) is a technique that measures a bán dẫn WBG trong đó có phương pháp dòng quang điện photocurrent in response to a laser beam with appropriate wavelength that is cảm ứng (Optical Beam Induced Current - OBIC). Phương scanned over the surface of a semiconductor device. In this way, a number of pháp này có thể dùng để khảo sát cường độ điện trường important device parameters can be derived. This .
