Trong nghiên cứu này, tính chất điện của màng Ge được pha tạp điện tử sử dụng đồng thời từ hai nguồn rắn GaP và Sb được tập trung khảo sát. Màng Ge được lắng đọng trực tiếp trên đế Si bằng phương pháp nuôi cấy chùm phân tử. | Nghiên cứu tính chất điện của màng Ge pha tạp điện tử từ nguồn rắn GaP và Sb bằng phương pháp epitaxy chùm phân tử ISSN: 1859-2171 TNU Journal of Science and Technology 204(11): 79 - 84 e-ISSN: 2615-9562 NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN CỦA MÀNG Ge PHA TẠP ĐIỆN TỬ TỪ NGUỒN RẮN GaP VÀ Sb BẰNG PHƯƠNG PHÁP EPITAXY CHÙM PHÂN TỬ Lương Thị Kim Phượng Trường Đại học Hồng Đức TÓM TẮT Trong nghiên cứu này, tính chất điện của màng Ge được pha tạp điện tử sử dụng đồng thời từ hai nguồn rắn GaP và Sb được tập trung khảo sát. Màng Ge được lắng đọng trực tiếp trên đế Si bằng phương pháp nuôi cấy chùm phân tử. Sự thay đổi điện trở suất của lớp Ge khi thay đổi nhiệt độ tăng trưởng từ 140oC đến 300oC và thay đổi nhiệt độ nguồn Sb trong khoảng 257-330oC đã được phân tích nhờ phép đo điện trở bốn điểm. Độ linh động của hạt tải và mật độ điện tử trong mạng nền Ge tham gia vào quá trình dẫn điện được xác định bằng cách thực hiện phép đo hiệu ứng Hall. Kết quả cho thấy, giá trị của mật độ điện tử tự do trong lớp Ge đạt tới 4,1x10 19cm-3. Hiệu ứng co hẹp vùng cấm của Ge khi pha tạp điện tử mật độ cao đã được quan sát bằng cách sử dụng phép đo phổ huỳnh quang trong vùng bước sóng từ 1100-2200nm. Khả năng phát quang của lớp Ge pha tạp điện tử từ các nguồn rắn GaP và P được cải thiện đáng kể với cường độ huỳnh quang tăng gấp 3 lần so với màng Ge chỉ pha tạp P. Từ khóa: Germani;điện trở suất; GaP và Sb; mật độ điện tử; phổ huỳnh quang Ngày nhận bài: 17/6/2019; Ngày hoàn thiện: 04/7/2019; Ngày đăng: 07/8/2019 STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF ELECTRON DOPED Ge FILM USING GaP AND Sb SOLID SOURCES BY MOLECULAR BEAM EPITAXY METHOD Luong Thi Kim Phuong Hong Duc University ABSTRACT In this work, electrical properties of n-doped Ge epilayers using both GaP and Sb solid sources were investigated. The Ge films were directly deposited on the Si substrate by molecular beam epitaxy method. The resistivity variation of the Ge layers when .
