Preparation of high quality polycrystalline silicon thin films, Aluminum induced crystallization,

In this paper, high-quality polycrystalline silicon (poly-Si) thin films on glass substrates are formed by Aluminum-induced crystallization (AIC). In AIC processes, bi-layer structures of amorphous silicon (a-Si) / Al are transformed into ones of (Al+ residual Si)/ poly-Si after simply annealing at 500°C in vacuum furnace. | Preparation of high quality polycrystalline silicon thin films, Aluminum induced crystallization,

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
187    24    1    25-11-2024
24    17    1    25-11-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.