Study on the deposition of amorphous silicon and ito thin films for heterojunction solar cell application

In the heterojunction with intrinsic thin-layer (HIT) solar cell structure studied in this work, an intrinsic amorphous silicon (a-Si) layer followed by a n-type amorphous silicon was deposited on a p-type Czochralski (CZ) monocrystalline silicon (c-Si) wafer by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method to form an heterojunction device. | Study on the deposition of amorphous silicon and ito thin films for heterojunction solar cell application

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
86    110    2    23-06-2024
152    89    3    23-06-2024
127    264    4    23-06-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.