Demonstration on ferroelectric-gate thin film transistor NAND-type array with disturbance free operation

A novel concept of NAND memory array has been proposed by using only ferroelectricgate thin film transistors (FGTs), whose structure is constructed from a sol-gel ITO channel and a sol-gel stacked ferroelectric between and (BLT/PZT) gate insulator. | Demonstration on ferroelectric-gate thin film transistor NAND-type array with disturbance free operation

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.