Study of elemental depth distribution in the material TiO2/SiO2/Si by rutherford backscattering spectrometry (RBS)

In this study we investigated depth distributions of elements in the multilayer structures of TiO2/SiO2/Si before and after ion irradiation. The samples were implanted with Ne+, Ar+, Kr+ and Xe+ ions. For each implantation the multilayer structures were irradiated by the ions with energies of 100, 150, 200 and 250 keV. | Study of elemental depth distribution in the material TiO2/SiO2/Si by rutherford backscattering spectrometry (RBS)

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.