Electron trapping mechanism in a multi-level organic fet memory using lithium-ionencapsulated fullerene as the floating gate

We report on the electron trapping mechanism in a multi-level organic field effect transistor (OFET) memory using Lithium-ion-encapsulated fullerene (Li+@C60) as the floating gate. Based on the estimation of trapped electron number per each Li+@C60 molecule when a programming voltage was applied, the active domain of the floating gate was determined to be the surface of the Li+@C60 domain. An analysis of the cyclic voltammetry indicated that each Li+@C60 molecule can trap electrons at the trapping energy level of and eV. The number of trapped electron was confirmed by the ultraviolet-visible spectroscopy (UV-Vis). | Electron trapping mechanism in a multi-level organic fet memory using lithium-ionencapsulated fullerene as the floating gate

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.