Trong bài viết này, nghịch lưu một pha ghép tầng cầu H với độ lợi điện áp cao (CHBqSBI-HG) được trình bày. Cấu hình này được biết đến như một bộ chuyển đổi công suất một chặng mà nó hoạt động ở hai chế độ: Chế độ ngắn mạch (ST) và chế độ không ngắn mạch (NST). | Nghịch lưu ghép tầng cầu H với độ lợi điện áp cao Tạp Chí Khoa Học Giáo Dục Kỹ Thuật Số 57 04 2020 56 Trường Đại Học Sư Phạm Kỹ Thuật TP. Hồ Chí Minh NGHỊCH LƯU GHÉP TẦNG CẦU H VỚI ĐỘ LỢI ĐIỆN ÁP CAO CASCADE H-BRIDGE INVERTER WITH HIGH VOLTAGE GAIN Lê Quang Tuấn1 Nguyễn Thanh Long2 Trần Vĩnh Thanh1 Đỗ Đức Trí 1 1 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh Việt Nam 2 Công ty điện lực An Giang Việt Nam Ngày toà soạn nhận bài 10 12 2019 ngày phản biện đánh giá 13 12 2019 ngày chấp nhận đăng19 12 2019. TÓM TẮT Trong bài báo này nghịch lưu một pha ghép tầng cầu H với độ lợi điện áp cao CHB- qSBI-HG được trình bày. Cấu hình này được biết đến như một bộ chuyển đổi công suất một chặng mà nó hoạt động ở hai chế độ chế độ ngắn mạch ST và chế độ không ngắn mạch NST . Do đó trạng thái ngắn mạch hai khóa trên một nhánh cùng dẫn trong một thời gian được khắc phục vì thế chất lượng của điện áp và dòng điện ngõ ra được cải thiện. Ngoài ra một phương pháp điều chế độ rộng xung PWM được cải tiến và kết hợp với cấu hình CHB- qSBI-HG để đạt được sự vượt trội về độ lợi điện áp cũng như giảm điện áp trên các linh kiện công suất. Một mô hình mô phỏng được xây dựng để kiểm chứng nguyên lý hoạt động theo phân tích lý thuyết của CHB-qSBI-HG. Từ khóa Nghịch lưu ghép tầng cầu H Nghịch lưu tăng áp nghịch lưu năm bậc ngắn mạch nghịch lưu tựa khóa chuyển mạch. ABSTRACT In this paper a cascade H-bridge single phase inverter with high voltage gain CHB- qSBI-HG is presented. This topology is known by single-stage power converter which operates with two modes shoot through ST and non shoot through NST . Thus the state ST two switches on the leg turn on at the same time is addressed so the quality of output voltage and current is improved. Furthermore a pulse width modulation PWM method is modified and combine with CHB-qSBI-HG to achieve superior voltage gain as well as reduce the stress voltage on the power switches. A prototype was built to verify the operating principles through .
