Study electromagnetic wave interaction of active-matrix thin-film transistors

Active-matrix thin film transistors (TFTs) on glass substrates with a metal backplane, that are applied for flat panel displays, can be considered as a metamaterial absorber. In this study, TFT structures using doped silicon at source, drain, and channel terminals are investigated. These terminals are unchanged in size of 75 µm square and thickness of µm. The electric conductivity is varied at the channel. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.