Nghiên cứu này góp phần củng cố thêm kết luận về thời gian điều chỉnh đế tối ưu ở nghiên cứu trước. Phổ phát quang của BaSi2 cho thấy màng BaSi2 lắng đọng trên đế điều chỉnh với te = 15 phút có chất lượng kết tinh tốt hơn trên đế phẳng. Từ đó, giá trị vùng cấm của màng BaSi2 được thiết lập, đạt eV. | UED Journal of Social Sciences Humanities amp Education - ISSN 1859 - 4603 TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC CHẾ TẠO MÀNG MỎNG BARI ĐISILIC TRÊN ĐẾ GECMANI BẰNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT VÀ KHẢO SÁT MỘT SỐ TÍNH CHẤT CỦA NÓ Nhận bài 19 10 2019 Mai Thị Kiều Liên Chấp nhận đăng 05 11 2019 Tóm tắt Màng mỏng BaSi2 được chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt trên đế Ge phẳng và điều http chỉnh với thời gian điều chỉnh đế te khác nhau. Tiếp nối nghiên cứu trước tính chất kết tinh và thời gian sống của hạt tải không cơ bản τ trong màng BaSi2 lần lượt được khảo sát. Kết quả cho thấy chất lượng kết tinh của màng BaSi2 dần suy giảm về phía bề mặt màng. τ của màng BaSi2 trên đế điều chỉnh cao hơn so với trên đế phẳng đạt giá trị µs với te 15 phút. Đây là giá trị cao nhất đạt được khi đo màng mỏng BaSi2 lắng đọng trên các đế khác nhau độ dày lt 300 nm . Các kết quả trong nghiên cứu này góp phần củng cố thêm kết luận về thời gian điều chỉnh đế tối ưu ở nghiên cứu trước. Phổ phát quang của BaSi2 cho thấy màng BaSi2 lắng đọng trên đế điều chỉnh với te 15 phút có chất lượng kết tinh tốt hơn trên đế phẳng. Từ đó giá trị vùng cấm của màng BaSi2 được thiết lập đạt eV. Từ khóa Bari Đisilic bán dẫn hợp chất với silic bốc bay nhiệt sự điều chỉnh đế phổ phát quang thời gian sống của hạt tải. đã tiến hành chế tạo và khảo sát tính chất vật liệu của 1. Giới thiệu BaSi2 bằng các phương pháp khác nhau như epitaxy Trong các nghiên cứu gần đây về vật liệu hấp thụ chùm phân tử 4 6 8 10-16 phún xạ 17-20 và bốc ứng dụng chế tạo pin năng lượng mặt trời dạng màng bay nhiệt 7 21-25 . Vật liệu này cũng được chế tạo và mỏng bán dẫn hợp chất bari đisilic BaSi2 nhận được khảo sát trên các loại đế khác nhau như Si 21 22 24 sự quan tâm đáng kể nhằm thay thế cho vật liệu truyền thuỷ tinh 7 CaF2 23 và Ge 25 . Ở nghiên cứu thống silic Si . Hai ưu điểm nổi bật của BaSi2 so với Si trước tôi đã chế tạo và khảo sát tính chất vật liệu của là i vùng cấm của BaSi2 .
