High quality of gan film growth on atomically stepped lithium niobate (LiNbO3) substrates using molecular beam epitaxy (MBE)

High temperature thermal treatment has been used to obtain atomically flat surfaces and to remove surface damage caused by mechanical polishing of as-received lithium niobate (LiNbO3) substrates. Annealing at 1000 ◦C for 2 hours produces optimal surface smoothness. The micro steps are nearly parallel and periodic almost all over the sample. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.