Dựa trên các kết quả thu được cho hai cấu trúc Si/thủy tinh và Si/YSZ*/thủy tinh, chúng tôi đã khảo sát chất lượng của cấu trúc Si/YSZ/kim loại/thủy tinh kết tinh pha rắn bằng các phương pháp một bước và hai bước sử dụng chùm laser xung. Kết quả cho thấy, với cùng thời gian nung và tổng mật độ năng lượng thấp hơn, phương pháp hai bước tạo ra độ kết tinh cao hơn và chất lượng kết tinh tốt hơn so với phương pháp một bước. | UED Journal of Social Sciences Humanities amp Education ISSN 1859 - 4603 TẠP CHÍ KHOA HỌC XÃ HỘI NHÂN VĂN VÀ GIÁO DỤC ẢNH HƯỞNG CỦA MÀNG MỎNG KIM LOẠI ĐẾN CHẤT LƯỢNG KẾT TINH CỦA MÀNG MỎNG SILIC Nhận bài 14 06 2017 Mai Thị Kiều Liên Chấp nhận đăng 25 09 2017 Tóm tắt Dựa trên các kết quả thu được cho hai cấu trúc Si thuỷ tinh và Si YSZ thuỷ tinh chúng tôi đã http khảo sát chất lượng của cấu trúc Si YSZ kim loại thuỷ tinh kết tinh pha rắn bằng các phương pháp một bước và hai bước sử dụng chùm laser xung. Kết quả cho thấy với cùng thời gian nung và tổng mật độ năng lượng thấp hơn phương pháp hai bước tạo ra độ kết tinh cao hơn và chất lượng kết tinh tốt hơn so với phương pháp một bước. Điều này chứng tỏ tính hiệu quả của phương pháp hai bước trong việc cải thiện chất lượng kết tinh của màng Si trên YSZ kim loại thuỷ tinh. Hơn nữa lớp kim loại có một chút tác dụng nhiệt lên việc đẩy nhanh quá trình kết tinh của màng Si. Các điều kiện nung được tối ưu để chế tạo transistor màng mỏng poly-Si điện cực đáy YSZ Yttria-Stabilized Zirconia . Từ khóa PLA kết tinh pha rắn kết tinh nhiệt độ thấp màng mỏng silic YSZ silic vô định hình silic đa tinh thể. màng kết tinh có chất lượng tốt chúng tôi đã đề xuất 1. Giới thiệu phương pháp kết tinh hai bước trong đó màng Si vô Trong ứng dụng chế tạo transistor màng mỏng định hình a-Si sẽ được kết tinh sử dụng hai loại mật độ thin-film transistor-TFT điện cực đáy chúng tôi đã sử năng lượng 5-8 . dụng lớp bán dẫn là silic Si gốm YSZ Yttria- Trong nghiên cứu này chúng tôi khảo sát ảnh hưởng Stabilized Zirconia-một chất gốm trong đó cấu trúc tinh của lớp kim loại lên chất lượng kết tinh của màng mỏng thể của ôxit zicôni được làm ổn định ở nhiệt độ phòng Si lắng đọng trên lớp YSZ để ứng dụng chế tạo TFT điện bằng cách bổ sung ôxit yttri được sử dụng vừa là lớp cực đáy. Dựa trên những ưu điểm của phương pháp nung kích thích kết tinh vừa là lớp cách điện. Để làm được hai bước chúng tôi sử dụng phương pháp này để kết tinh điều .
