Bài viết trình bày ảnh hưởng của bức xạ gamma năng lượng cao với nhiều liều lượng khác nhau (0 -10 kGy) từ nguồn 60Co lên tính chất quang của chấm lượng tử CdSe được tiến hành nghiên cứu bằng các phương pháp quang phổ. Chấm lượng tử CdSe và CdSe/CdS lõi/vỏ này được chế tạo bằng phương pháp hóa ướt có cấu trúc zinc blende kích thước nm và nm, tương ứng. | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Duy Tân 05 42 2020 77-87 77 05 42 2020 77-87 Ảnh hưởng của bức xạ gamma đến tính chất quang của chấm lượng tử CdSe Gamma irradiation effects on optical properties of CdSe quantum dots Nguyễn Đình Cônga Nguyễn Thanh Bìnha Vũ Thị Bíchb a c Nguyen Dinh Conga Nguyen Thanh Binha Vu Thi Bich b a c a Viện Vật lý Viện Hàn lâm KHCN Việt Nam 10 Đào Tấn Ba Đình Hà Nội Việt Nam a Institute of Physics VAST 10 Dao Tan Ba Dinh Ha Noi Viet Nam b Viện Nghiên cứu Lý thuyết và Ứng dụng Trường Đại học Duy Tân Hà Nội Việt Nam b Institute of Theoretical and Applied Research Duy Tan University Hanoi 100000 Vietnam c Khoa Khoa học Tự nhiên Trường Đại học Duy Tân Đà Nẵng Việt Nam c Faculty of Natural Science Duy Tan University Da Nang 550000 Vietnam Ngày nhận bài 28 8 2020 ngày phản biện xong 03 9 2020 ngày chấp nhận đăng 25 9 2020 Tóm tắt Ảnh hưởng của bức xạ gamma năng lượng cao với nhiều liều lượng khác nhau 0 -10 kGy từ nguồn 60Co lên tính chất quang của chấm lượng tử CdSe được tiến hành nghiên cứu bằng các phương pháp quang phổ. Chấm lượng tử CdSe và CdSe CdS lõi vỏ này được chế tạo bằng phương pháp hóa ướt có cấu trúc zinc blende kích thước nm và nm tương ứng. Các kết quả thực nghiệm cho thấy rằng bức xạ gamma đã ảnh hưởng tới cường độ huỳnh quang quá trình quang động học của điện tử và làm giảm chất lượng tinh thể của các chấm lượng tử. Hiện tượng hồi phục một phần cường độ huỳnh quang theo thời gian sau khi chiếu xạ gamma được quan sát và được cho là kết quả của hồi phục lệch mạng trong tinh thể. Kết quả cũng chỉ ra rằng lớp vỏ CdS của chấm lượng tử CdSe CdS lõi vỏ ngoài việc giảm hiệu ứng bề mặt và nâng cao hiệu quả lượng tử cho CdSe lõi nó còn có thể làm giảm ảnh hưởng của bức xạ gamma đến CdSe và khả năng phục hồi của chấm lượng tử cấu trúc CdSe CdS lõi vỏ tốt hơn cấu trúc CdSe. Từ khóa Chấm lượng tử CdSe CdSe CdS chiếu xạ gamma UV-Vis huỳnh quang thời gian sống huỳnh quang. Abstract The high energy gamma
