Effect of reactive gas composition on properties of Si/LiNbO3 heterojunctions grown by radio-frequency magnetron sputtering

Amorphous lithium niobate (LiNbO3) films were deposited onto silicon substrates by the radiofrequency magnetron sputtering method in a pure Ar environment and an Ar þ O2 gas mixture with various oxygen contents. The oxide charge existing in as-grown films has two components: the positive Qox distributed in the bulk of a film and the negative Qox located at the film/substrate interface with a maximum magnitude corresponding to an Ar (80) O2 (20) gas mixture. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.