Bài viết tiến hành nghiên cứu tính chất điện tử đơn lớp gallium selenide bằng lý thuyết phiếu hàm mật độ; tác dụng của điện trường vuông góc lên các dải điện tử là khá yếu và khe hở năng lượng của đơn lớp GaSe không phụ thuộc vào điện trường. | T NH CH T I N TÛ CÕA ÌN LÎP GALLIUM SELENIDE C C T NH TO N B NG LÞ THUY T PHI M H M M T Ë VÃ THÀ TUY T VI1 BÒI NH HÑI1 NGUY N V N CH ÌNG2 NGUY N NGÅC HI U3 1 Khoa Vªt lþ Tr íng i håc S ph m i håc Hu 2 Khoa Cì kh Håc vi n Kÿ thuªt Qu n sü 3 Vi n Nghi n cùu v Ph t triºn Cæng ngh cao Tr íng i håc Duy T n Email hieunn@ Tâm t t Trong b i b o n y chóng tæi nghi n cùu t nh ch t i n tû cõa ìn lîp gallium selenide GaSe b ng lþ thuy t phi m h m mªt ë. C c t nh to n cõa chóng tæi ch ra r ng ìn lîp GaSe ð tr ng th i c n b ng l mët b n d n câ vòng c m xi n vîi gi trà n ng l ñng cõa vòng c m l 2 27 eV. C c vòng n ng l ñng i n tû cõa ìn lîp GaSe ñc h nh th nh nhí sü âng gâp chõ y u tø c c orbital Ga-d v Se-p. i n tr íng vuæng gâc l m thay êi mët c ch khæng ng kº c u tróc vòng n ng l ñng i n tû cõa ìn lîp GaSe v c bi t l n ng l ñng vòng c m cõa ìn lîp GaSe khæng phö thuëc v o i n tr íng vuæng gâc n y. Tø khâa ìn lîp GaSe c u tróc vòng n ng l ñng i n tr íng ngo i lþ thuy t phi m h m mªt ë. 1 GIÎI THI U Kº tø khi ñc bâc t ch th nh cæng b ng thüc nghi m v o n m 2004 graphene trð th nh mët trong nhúng vªt li u ñc cëng çng khoa håc quan t m nghi n cùu nhi u nh t trong suèt 15 n m qua 1 . Do câ nhi u t nh ch t vªt lþ v hâa håc c bi t graphene ñc ùng döng nhi u trong c c thi t bà v linh ki n câ k ch cï nano m t. Tuy vªy do câ n ng l ñng vòng c m b ng khæng n n ng íi ta g p r t nhi u khâ kh n trong vi c ùng döng graphene v o trong c c thi t bà quang i n tû nano. Song song vîi vi c t m c ch kh c phöc nh ñc iºm n y ð graphene c c nh khoa håc t m ki m c c vªt li u kh c câ c u tróc t ìng tü graphene nh ng l i câ vòng c m kh c khæng. Nhi u lo i vªt li u lîp hai chi u ìn lîp ñc ph t hi n nh silicene c c vªt li u kim lo i chuyºn ti p dichalcogenide hay phosphorene. T nh ch t i n tû v truy n d n cõa c c vªt li u n y T p ch Khoa håc Tr íng i håc S ph m i håc Hu ISSN 1859-1612 Sè 3 55 2020 Ng y nhªn b i 16 5 2019 Ho n th nh ph n bi n 18 6 2019 Ng y nhªn ng 30 6 2019 24 VÃ THÀ
