Mục tiêu của đề tài "Hiện tượng vận chuyển điện tử trong các cấu trúc nano bán dẫn dựa trên vật liệu phân cực AlGaN/GaN và Penta-Graphene nanoribbon" là nghiên cứu các hiện tượng vận chuyển điện tử trong các cấu trúc nano bán dẫn dựa trên các vật liệu AlGaN/GaN và penta-graphene nanoribbon. | BỘ GIÁO DỤC VÀ ĐÀO TẠO VIỆN HÀN LÂM KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ VIỆT NAM HỌC VIỆN KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ . . PHẠM THỊ BÍCH THẢO HIỆN TƯỢNG VẬN CHUYỂN ĐIỆN TỬ TRONG CÁC CẤU TRÚC NANO BÁN DẪN DỰA TRÊN VẬT LIỆU PHÂN CỰC AlGaN GaN VÀ PENTA-GRAPHENE NANORIBBON Chuyên ngành Vật lý lý thuyết và Vật lý toán Mã số 9 44 01 03 TÓM TẮT LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Hà Nội 2020 Công trình được hoàn thành tại Học viện Khoa học và Công nghệ - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam Người hướng dẫn khoa học 1 . Nguyễn Thành Tiên Người hướng dẫn khoa học 2 . Đoàn Nhật Quang Phản biện 1 . Đinh Văn Trung Phản biện 2 . Đào Tiến Khoa Phản biện 3 TS. Phạm Ngọc Đồng Luận án sẽ được bảo vệ trước Hội đồng chấm luận án tiến sĩ họp tại Học viện Khoa học và Công nghệ - Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam vào hồi giờ ngày tháng năm 20 . Có thể tìm hiểu luận án tại - Thư viện Học viện Khoa học và Công nghệ - Thư viện Quốc gia Việt Nam 1 Ph n mð u Trong thíi i ng y nay cæng ngh b n d n l mët trong nhúng l nh vüc quan trång v câ nh h ðng nh t n sü ph t triºn cõa khoa håc - cæng ngh . Cæng ngh b n d n l n n t ng cõa x hëi thæng tin v ang thóc y x hëi lo i ng íi ti n l n vîi nhúng sü thay êi trong s n xu t sinh ho t giao ti p v thªm ch trong c suy ngh . Trong cæng ngh b n d n vªt li u b n d n âng mët vai trá quan trång. Transistor u ti n ñc ph t minh v o n m 1947 düa tr n ch t b n d n gecmani Ge vîi ë rëng vòng c m ð nhi t ë pháng l eV. M ch t ch hñp u ti n ra íi v o n m 1958 m ch t ch hñp khèi xu t hi n v o n m 1961 sû döng gecmani v silic Si vîi ë rëng vòng c m ð nhi t ë pháng eV. Tø n m 1965 silic trð th nh vªt li u ch nh cho c c m ch t ch hñp b n d n. Hi n nay ph n lîn c c ng nh cæng nghi p b n d n m ch t ch hñp ho c pin quang i n v n düa tr n silic. Silic v gecmani th íng ñc gåi c c ch t b n d n th h u. C c ch t b n d n th h thù hai bao gçm gallium arsenide GaAs ë rëng vòng c m ð nhi t ë pháng l eV v indium phosphide InP ë rëng vòng c m ð nhi t ë pháng
