Temperature dependence of anharmonic exafs oscillation of crystalline silicon

In this work, the anharmonic extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) oscillation of crystalline silicon (c-Si) is presented in terms of the Debye-Waller factor using the cumulant expansion approach up to the fourthorder. The first four EXAFS cumulant has been calculated based on the classical anharmonic correlated Einstein (ACE) model and suitable analysis procedure, in which thermodynamic parameters are derived from the anharmonic effective potential obtained using the first shell near-neighbor contribution approach. The analysis of the temperature dependence of the EXAFS oscillation is performed via evaluating the influence of the cumulants on the amplitude reduction and the phase shift of the anharmonic EXAFS oscillation. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.