Fabrication of a normally-on organic thin film transistor for active sensor construction

In this paper, we propose an approach to fabricate normally-on OTFT based on floating gate, photoactive gate dielectric layer and programming process using external UV source. After fabrication, measurements of OTFT characteristics, including transfer and output, were performed. Estimation of the critical parameters including the threshold voltage and field effect mobility was also described. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.