Bài viết tìm hiểu ảnh hưởng của quá trình ăn mòn bằng nguồn plasma cảm ứng cao tần (ICP) tới điện trở suất tiếp giáp kim loại - bán dẫn đã được nghiên cứu bằng phương pháp đường truyền tuyến tính. | JST Engineering and Technology for Sustainable Development Vol. 1 Issue 2 April 2021 095-100 Nghiên cứu ảnh hưởng của quá trình ăn mòn đến điện trở suất tiếp giáp Ohmic của linh kiện AlGaN GaN HEMT Studying the Effect of Etching Process on the Ohmic Specific Contact Resistance of AlGaN GaN HEMT Nguyễn Trung Đô Lưu Thị Lan Anh Lê Thị Hồng Liên Nguyễn Hoàng Thoan Nguyễn Ngọc Trung Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Hà Nội Việt Nam Email Tóm tắt Trong các linh kiện điện tử từ mạch tích hợp đến pin mặt trời giá trị điện trở suât ρc tiếp giáp Ohmic giữa kim loại và bán dẫn là thước đo hiệu suất của thiết bị. Trong bài báo này ảnh hưởng của quá trình ăn mòn bằng nguồn plasma cảm ứng cao tần ICP tới điện trở suất tiếp giáp kim loại - bán dẫn đã được nghiên cứu bằng phương pháp đường truyền tuyến tính LTLM . Kết quả thu được cho thấy lựa chọn độ sâu và chế độ công nghệ phù hợp cho quá trình ăn mòn bằng phương pháp ICP trước khi phủ kim loại là một công đoạn có tính quyết định trong việc chế tạo tiếp giáp Ohmic có điện trở suất thấp. Giá trị điện trở Ohmic chế tạo được thấp nhất khi độ sâu ăn mòn đảm bảo cho các lớp kim loại phủ lên vùng AlGaN pha tạp với khoảng cách bên trên bề mặt lớp 2DEG của cấu trúc AlGaN GaN HEMT khoảng 8 nm. Với công suất của nguồn ion là 30 W và công suất nguồn plasma là 250 W tốc độ ăn mòn vật liệu AlGaN là khoảng 27 21 nm phút. Điện trở suất tiếp giáp Ohmic của các lớp kim loại Ti 20 nm Al 200 nm Pd 60 nm Au 100 nm với bán dẫn AlGaN có giá trị thấp nhất là ρc 1 08 x mặc dù mẫu chỉ ủ ở nhiệt độ tương đối thấp là 650oC trong môi trường khí Nitơ. Từ khóa GaN AlGaN transistor độ linh động điện tử cao điện trở suất tiếp giáp Ohmic quá trình ăn mòn ICP. Abstract In electronic devices ranging from integrated circuits to solar cells the Ohmic specific contact resistance between metal and semiconductor is a measure of device performance. In this paper the effect of Induction Coupled Plasma etching ICP on creating .
