Khảo sát ảnh hưởng của biến dạng và khuyết tật hình học đến xoáy phân cực đơn trong sợi nano PbTiO3

Trong nghiên cứu này, phương pháp mô phỏng nguyên tử sử dụng hàm thế năng tương tác trên cơ sở mô hình vỏ–lõi được lựa chọn để khảo sát ảnh hưởng của biến dạng, vết nứt và sai lệch vách miền phân cực (domain wall - DW) đến xoáy phân cực đơn trong sợi nano PbTiO3 (PTO).Vật liệu gốm sắt điện ABO3. | JST Engineering and Technology for Sustainable Development Vol. 1 Issue 2 April 2021 108-114 Khảo sát ảnh hưởng của biến dạng và khuyết tật hình học đến xoáy phân cực đơn trong sợi nano PbTiO3 Investigating Effect of Strain and Geometric Defects on Single Polarization Vortex in PbTiO3 Nanowires Trần Thế Quang1 2 Nguyễn Hoàng Linh1 Nguyễn Văn Hội1 Vương Văn Thanh1 Đỗ Văn Trường1 1 Trường Đại học Bách khoa Hà Nội Hà Nội Việt Nam 2 Trường Đại học Thái Bình Thái Bình Việt Nam Email tranthequang12@ Tóm tắt Cấu trúc xoáy phân cực đơn trong sợi nano có thể được sử dụng để lưu trữ dữ liệu cho bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên không mất dữ liệu khi ngắt nguồn NVFRAM hoặc FRAM . Tuy nhiên ở kích thước nano biến dạng cơ học hoặc khuyết tật hình học vết nứt có thể làm ảnh hưởng đến xoáy phân cực và nó cũng là một trong những nguyên nhân làm giảm tuổi thọ cũng như độ tin cậy của thiết bị. Trong nghiên cứu này phương pháp mô phỏng nguyên tử sử dụng hàm thế năng tương tác trên cơ sở mô hình vỏ lõi được lựa chọn để khảo sát ảnh hưởng của biến dạng vết nứt và sai lệch vách miền phân cực domain wall - DW đến xoáy phân cực đơn trong sợi nano PbTiO3 PTO . Kết quả thu được chỉ ra rằng xoáy phân cực có thể bị triệt tiêu hoặc xuất hiện thêm tùy thuộc vào vị trí và kích thước của vết nứt. Sai lệch vị trí DW làm thay đổi kích thước và hình dạng của xoáy. Bên cạnh đó dưới biến dạng cơ học độ lớn phân cực của xoáy tăng khi chịu kéo và giảm khi chịu nén. Đặc biệt ở biến dạng nén lớn 10 xoáy bị phá vỡ. Từ khóa PbTiO3 mô hình vỏ-lõi xoáy phân cực sợi nano sắt điện Abstract The single polarization vortex structure in nanowire can be used to store binary data in Non-Volatile Ferroelectric Random Access Memories NVFRAM or FRAM . However at the nanoscale mechanical strains or geometry defects cracks can affect the polarization vortex and they are one of the reasons for reducing the service life as well as the reliability of the device. In this study the atomic simulation

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
170    221    1    24-04-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.