Formation of radiation-disturbed layer in Al/SiO2/n-Si structures irradiated with helium ions with energy 5 MeV

This paper presents the change in the volt-farad characteristics of the Al/SiO2/n-Si structure irradiated with helium ions with the energy of 5 MeV in the frequencies of 1, 10, 100, and 1000 kHz. The voltage dependence of the capacitance and the frequency dependence of the dissolution angle are measured on an LCR Agilent E4980A and Agilent 4285A meter. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU XEM NHIỀU
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
12    174    1    29-03-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.