Applications of TCAD simulation software to the study of floating-gate device

The floating-gate device has become an established component of all electronic systems, especially Non-volatile memories in recent years. This paper produces a study for this device including the structure and operation (read, program/write and erase). A complete flow which uses ATHENA, ATLAS and DEVEDIT3D tools for 2D and 3D structure simulations including I-V characteristics, Channel Hot Electron Injection, and Fowler-Nordheim Tunnel simulations are performed in TCAD environment. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TÀI LIỆU XEM NHIỀU
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.