Ảnh hưởng pha tạp N đến tính chất cảm biến quang của cấu trúc dị thể p-SnO2 đồng pha tạp Zn và N/ n-Si

Công trình này nghiên cứu ảnh hưởng của đồng pha tạp Zn và N đến cấu trúc tinh thể, tính chất điện và hiệu ứng quang điện của cấu trúc dị thể p-SnO2:Zn-N/n-Si. Các màng SnO2 đồng pha tạp Zn và N (ZNTO) được lắng đọng trên đế silic loại n ở 300oC trong hỗn hợp khí phún xạ Ar/N2 khác nhau (%N = 0%, 30%, 50%, 60%, 70% và 80%) từ bia SnO2 chứa pha tạp 5 wt % ZnO bằng phương pháp phún xạ magnetron DC. | Tạp chí Phát triển Khoa học và Công nghệ Khoa học Tự nhiên 5 2 1157-1166 Open Access Full Text Article Bài nghiên cứu Ảnh hưởng pha tạp N đến tính chất cảm biến quang của cấu trúc dị thể p-SnO2 đồng pha tạp Zn và N n-Si Lê Trấn1 Đặng Hữu Phúc2 TÓM TẮT Công trình này nghiên cứu ảnh hưởng của đồng pha tạp Zn và N đến cấu trúc tinh thể tính chất điện và hiệu ứng quang điện của cấu trúc dị thể p-SnO2 Zn-N n-Si. Các màng SnO2 đồng pha tạp Use your smartphone to scan this Zn và N ZNTO được lắng đọng trên đế silic loại n ở 300o C trong hỗn hợp khí phún xạ Ar N2 khác QR code and download this article nhau N 0 30 50 60 70 và 80 từ bia SnO2 chứa pha tạp 5 wt ZnO bằng phương pháp phún xạ magnetron DC. Cấu trúc tinh thể hình thái bề mặt thành phần hóa học tính chất điện và hiệu ứng quang điện của màng ZNTO được khảo sát bằng các phép đo như nhiễu xạ tia X FESEM AFM EDS Hall và I-V. Kết quả thu được cho thấy tất cả các màng đều có cấu trúc tứ giác rutile và mặt SnO2 101 là mặt trội ở điều kiện chế tạo tối ưu nhất 70 N2 . Sự thay thế Sn4 bởi Zn2 hay O2 bởi N3 được chứng minh bởi giản đồ nhiễu xạ tia X XRD phổ tán xạ năng lượng tia X EDS . Điện trở suất thấp nhất đối với màng ZNTO-5-70 là ρ 6 50 10 2 tương ứng nồng độ hạt tải n 1 46 1019 cm 3 và µ 6 52 cm2 .V 1 .s 1 . Đặc trưng I-V của cấu trúc p ZNTO 5 y n Si ở điều kiện chiếu sáng cho thấy tính chất điện loại p của các màng ZNTO 5 y và khả năng ứng dụng làm cảm biến quang. Ngoài ra đặc trưng dòng đáp ứng quang của các màng ZNTO 5 y có độ nhạy cao và lặp lại tốt. Từ khoá phún xạ magnetron DC cấu trúc dị thể p-SnO2 Zn-N n-Si XRD EDS đặc trưng I-V GIỚI THIỆU áp 0V 3 . Đặc biệt cảm biến quang cấu trúc tiếp giáp p-n có ưu điểm vượt trội như tốc độ phản hồi nhanh 1 Cảm biến quang tia cực tím UV là thiết bị được sử Khoa Vật Lý Vật Lý Kỹ Thuật Trường dòng điện tối thấp và có thể hoạt động mà không cần Đại học Khoa học Tự nhiên dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực dân sự như giám ĐHQG-HCM Việt Nam điện áp 3 . Do đó cấu trúc diode .

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
53    141    2    18-04-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.