Bài viết này trình bày về đầu dò germanium siêu tinh khiết (HPGe), giống như một diode có cấu trúc gồm 3 vùng P, I và N làm việc ở chế độ phân cực nghịch, trong đó vùng I nhạy với các bức xạ ion hóa, đặc biệt là tia gamma và tia X. Trong quá trình hoạt động các nguyên tử lithium của lớp n+ (lớp lithium khuếch tán n+ , vùng P) tiếp tục khuếch tán vào sâu bên trong tinh thể làm cho bề dày của lớp này tăng lên đáng kể, do đó, làm giảm hiệu suất ghi của đầu dò. Mời các bạn cùng tham khảo! | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Số 43A 2020 NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p VÕ XUÂN ÂN Trường Đại học Công nghiệp Tp. Hồ Chí Minh voxuanan@ Tóm tắt. Đầu dò germanium siêu tinh khiết HPGe giống như một diode có cấu trúc gồm 3 vùng P I và N làm việc ở chế độ phân cực nghịch trong đó vùng I nhạy với các bức xạ ion hóa đặc biệt là tia gamma và tia X. Trong quá trình hoạt động các nguyên tử lithium của lớp n lớp lithium khuếch tán n vùng P tiếp tục khuếch tán vào sâu bên trong tinh thể làm cho bề dày của lớp này tăng lên đáng kể do đó làm giảm hiệu suất ghi của đầu dò. Sự tăng bề dày lớp chết không những làm giảm thể tích vùng nhạy hiệu ứng thể tích mà còn làm tăng quãng đường tán xạ của tia gamma đi vào đầu dò hiệu ứng cản xạ . Kết quả nghiên cứu trên đầu dò HPGe GC 5 8 cho thấy rằng đóng góp ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ vào sự giảm hiệu suất ghi của đầu dò lần lượt là 82 và 18 . Từ khoá. Hiệu ứng thể tích hiệu ứng cản xạ đầu dò lớp lithium khuếch tán hiệu suất MCNP5 A STUDY OF THE VOLUME AND RADIATION CONTRAST EFFECTS OF THE DIFFUSED LITHIUM LAYER THICKNESS OF p-TYPE HPGe DETECTORS Abstract. The high purity germanium HPGe detector like a giant semiconductor diode operated under reverse bias has a P-I-N structure in which the intrinsic I region is sensitive to ionizing radiation particularly X rays and gamma rays. In operation the continuous diffusion of the lithium atoms inside the germanium crystal leads to that the diffused lithium layer thickness considerably increases and causes that the HPGe detector efficiency decreases. An increase of the diffused lithium layer thickness leads to not only reducing the sensitive volume called the volume effect but also increasing the interactive range of gamma rays called the radiation contrast effect . The results showed that a contribution of the volume and radiation contrast effects on a decrease of the detector .
