Đề tài này thực hiện mô phỏng về GeO2 lỏng. Cấu trúc và quá trình khuếch tán được phân tích thông qua hàm phân bố xuyên tâm, phân bố đơn vị cấu trúc GeOx (x = 4, 5, 6), phân bố khoảng cách, phân bố góc và trực quan hóa số liệu. Mời các bạn cùng tham khảo! | HNUE JOURNAL OF SCIENCE DOI Natural Sciences 2021 Volume 66 Issue 1 pp. 42-48 This paper is available online at http MÔ PHỎNG ĐỘNG LỰC HỌC PHÂN TỬ ĐỐI VỚI CẤU TRÚC KHÔNG ĐỒNG NHẤT VÀ QUÁ TRÌNH KHUẾCH TÁN TRONG GeO2 LỎNG Phạm Hữu Kiên Nguyễn Hồng Lĩnh Phạm Xuân Hiển Nguyễn Thị Thùy Linh Phan Đình Quang và Giáp Thị Thùy Trang Khoa Vật lí Trường Đại học Sư phạm Đại học Thái Nguyên Tóm tắt. Trong bài báo này chúng tôi thực hiện mô phỏng về GeO2 lỏng. Cấu trúc và quá trình khuếch tán được phân tích thông qua hàm phân bố xuyên tâm phân bố đơn vị cấu trúc GeOx x 4 5 6 phân bố khoảng cách phân bố góc và trực quan hóa số liệu. Các kết quả mô phỏng cho thấy cấu trúc GeO2 lỏng gồm các đám GeO4 GeO5 hoặc GeO6. Các đám này có kích thước phụ thuộc vào áp suất và phân bố không đồng nhất. Kết quả này đã khẳng định nguồn gốc về động học không đồng nhất trong các hệ oxit lỏng. Thêm nữa hệ số khuếch tán của Ge O giảm theo áp suất. Chúng tôi cũng chỉ ra sự khuếch tán liên quan chủ yếu đến sự phá vỡ liên kết Ge-O. Từ khóa GeO2 lỏng không đồng nhất đám khuếch tán đơn vị cấu trúc. 1. Mở đầu GeO2 là vật liệu oxit có các đặc trưng cấu trúc và động học tương tự oxit SiO2. Chẳng hạn như trật tự tầm gần của hai oxit này là giống nhau ở áp suất thấp cũng như áp suất cao. Tuy nhiên chúng cũng có một vài đặc tính khác nhau. Ví dụ như so với SiO2 GeO2 có số lượng đa thu hình nhỏ hơn và cấu trúc các pha tinh thể lỏng thủy tinh của GeO2 phụ thuộc nhiều vào áp suất hơn 1 2 . Những năm gần đây các ôxit SiO2 và GeO2 là đối tượng thu hút sự quan tâm của các nhà nghiên cứu lí thuyết và thực nghiệm 3-11 . Bằng thực nghiệm nhiễu xạ tia X và nhiễu xạ nơtron M. Guthrie và cộng sự 3 đã chỉ ra ảnh hưởng của áp suất đến cấu trúc của vật liệu trong quá trình gia công mẫu. Hơn nữa trong khoảng áp suất từ 6 đến 10 GPa số phối trí O trung bình quanh Ge bằng 5 và có thể tồn tại pha trung gian giữa các pha thủy tinh của GeO2 1-3 8 . GeO2 và SiO2 có nhiều điểm tương đồng
