Mục tiêu nghiên cứu của luận văn nhằm đưa ra được quy trình công nghệ chế tạo vật liệu quang điện Si-Ge độ rộng vùng cấm thay đổi và có hiệu suất cao. Tối ưu hóa thành phần và cấu trúc của vật liệu Si-Ge để thu được các tính chất vật lý cho phép ứng dụng trong pin quang điện. Mời các bạn cùng tham khảo! | ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC LÊ XUÂN HIẾU CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN QUANG CỦA MÀNG MỎNG SiGe ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ HAI LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ THÁI NGUYÊN - 2019 Số hóa bởi Trung tâm Học liệu và Công nghệ thông tin ĐHTN http ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC LÊ XUÂN HIẾU CHẾ TẠO VÀ NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN QUANG CỦA MÀNG MỎNG SiGe ỨNG DỤNG TRONG PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ HAI Ngành Quang học Mã số 8 44 01 10 LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÍ Cán bộ hướng dẫn khoa học 1. TS. VŨ VĂN THÚ 2. . NGUYỄN VĂN ĐĂNG THÁI NGUYÊN - 2019 Số hóa bởi Trung tâm Học liệu và Công nghệ thông tin ĐHTN http i LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đề tài Chế tạo và nghiên cứu tính chất điện quang của màng mỏng SiGe ứng dụng trong pin mặt trời thế hệ hai là công trình nghiên cứu của tôi dưới sự hướng dẫn của TS. Vũ Văn Thú và . Nguyễn Văn Đăng. Các số liệu và kết quả đưa ra trong luận văn là hoàn toàn trung thực và chưa từng được công bố trong bất cứ công trình nào trước. Tôi xin chịu hoàn toàn trách nhiệm về lời cam đoan trên của mình. Thái Nguyên tháng 11 năm 2019 Tác giả Lê Xuân Hiếu Số hóa bởi Trung tâm Học liệu và Công nghệ thông tin ĐHTN http ii LỜI CẢM ƠN Đầu tiên tôi xin bày tỏ lòng kính trọng và gửi lời cảm ơn chân thành đến thầy TS. Vũ Văn Thú và . Nguyễn Văn Đăng các thầy đã hướng dẫn tôi hoàn thành luận văn này. Các thầy đã luôn chỉ bảo tận tình động viên cũng như tạo mọi điều kiện tốt nhất cho tôi trong suốt thời gian thực hiện nghiên cứu. Tôi xin cảm ơn tới Khoa Vật lí - Công nghệ - Trường Đại học Khoa học - Đại học Thái Nguyên Viện ITIMS - Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội đã cho tôi cơ hội được học tập nghiên cứu và làm thực nghiệm. Trong suốt thời gian làm luận văn tôi đã luôn nhận được sự giúp đỡ trong công việc sự động viên khích lệ của các thầy đặc biệt là thầy TS. Ngô Ngọc Hà Viện ITIMS cùng các bạn sinh viên từng học tập và nghiên cứu tại đây. Tôi xin ghi nhận những tình cảm quý .
