The resistive switching characteristics and electrical conduction mechanisms of memory devices based on nanocomposite

The resistive switching effect was observed with the ON/OFF ratio of 102 , high endurance, excellent retention and the electrical transport mechanisms were followed by the SCLC and Ohmic’s law in the low resistance state and FlowerNordheim tunneling in the high resistance state. The resistive switching mechanism was contributed by the oxygen vacancies in ZnO nanoparticles and the oxygen ions in the bottom electrode. |

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
12    26    1    01-12-2024
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.