Giáo trình Linh kiện và đo lường điện tử (Nghề: Điện tử công nghiệp - Cao đẳng): Phần 2 - Trường CĐ nghề Việt Nam - Hàn Quốc thành phố Hà Nội

(NB) Giáo trình Linh kiện và đo lường điện tử cung cấp cho người học những kiến thức như: Mở đầu; Linh kiện thụ động; Diode; Transistor BJT; Transistor hiệu ứng trường – FET; Linh kiện nhiều tiếp giáp và quang điện tử; Đơn vị đo; Sai số đo; Cơ cấu đo; Phương pháp đo các đại lượng điện. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung giáo trình phần 2 dưới đây. | Bài 5 Transistor hiệu ứng trường FET Mục tiêu - Trình bày cấu tạo ký hiệu tính chất công dụng các thông số kỹ thuật cơ bản của FET - Phân tích nguyên lý làm việc của transistor NPN và PNP - Phân tích một số mạch ứng dụng FET đơn giản - Có ý thức chủ động sáng tạo trong học tập . Giới thiệu chung phân loại và kí hiệu của FET Chúng ta đã khảo sát qua transistor thường được gọi là transistor lưỡng cực vì sự dẫn điện của nó dựa vào hai loại hạt tải điện hạt tải điện đa số trong vùng phát và hạt tải điện thiểu số trong vùng nền. Ở transistor NPN hạt tải điện đa số là điện tử và hạt tải điện thiểu số là lỗ trống trong khi ở transistor PNP hạt tải điện đa số là lỗ trống và hạt tải điện thiểu số là điện tử. Điện trở ngõ vào của BJT nhìn từ cực E hoặc cực B nhỏ từ vài trăm đến vài K trong lúc điện trở ngõ vào của đèn chân không rất lớn gần như vô hạn. Lý do là ở BJT nối nền phát luôn luôn được phân cực thuân trong lúc ở đèn chân không lưới khiển luôn luôn được phân cực nghịch so với Catod. Do đó ngay từ lúc transistor BJT mới ra đời người ta nghĩ đến việc phát triển một loại transistor mới. Điều này dẫn đến sự ra đời của transistor trường ứng. Ta phân biệt hai loại transistor trường ứng - Transistor trường ứng loại nối Junction FET JFET - Transistor trường ứng loại có cổng cách điện Isulated gate FET IGFET hay metal oxyt semiconductor FET MOSFET. . Transistor trường điều khiển bằng chuyển tiếp PN - JFET . Cấu tạo Hình đưa ra một cấu trúc JFET kiểu kênh N trên đế tinh thể bán dẫn Si - N người ta tạo xung quanh một lớp bán dẫn P có tạp chất nồng độ cao hơn so với đế và đưa ra 3 điện cực là cực nguồn S Source cực máng D Drain và cực cửa G Gate . Như vậy hình thành một kênh dẫn điện loại n nối giữa hai cực D và S cách ly với cực cửa G dung làm cực điều khiển bởi một lớp tiếp xúc P - N bao 122 quanh kênh dẫn. Hoàn toàn tương tự nếu xuất phát từ đế bán dẫn lại P ta có loại kênh JFET kênh P với các kí hiệu quy ước như Hình Hình Cấu tạo JFET kiểu kênh N .

Không thể tạo bản xem trước, hãy bấm tải xuống
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.